[發明專利]一種新型界面相材料的制備方法有效
| 申請號: | 202110754320.6 | 申請日: | 2021-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN113248266B | 公開(公告)日: | 2021-10-01 |
| 發明(設計)人: | 王衍飛;張金;劉榮軍;萬帆 | 申請(專利權)人: | 中國人民解放軍國防科技大學 |
| 主分類號: | C04B35/628 | 分類號: | C04B35/628;C04B35/80;C04B35/565 |
| 代理公司: | 長沙國科天河知識產權代理有限公司 43225 | 代理人: | 邱軼 |
| 地址: | 410073 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 界面 材料 制備 方法 | ||
1.一種界面相材料的制備方法,所述界面相材料為應用于SiCf/SiC復合材料中的界面相,其特征在于,包括以下步驟:
步驟一、配制硅溶膠待用;并采用RE3+可溶性硝酸鹽和檸檬酸配制檸檬酸鹽儲備液,將檸檬酸鹽儲備液和磷酸溶液混合得到含有稀土正磷酸鹽REPO4的混合溶液;
步驟二、對SiC纖維進行預處理;將預處理后的SiC纖維浸漬在步驟一配制的硅溶膠中,通過浸漬、涂覆、干燥后,在真空爐中恒溫300~500℃下保持1小時,得到表面具有SiO2涂層的SiC纖維;
步驟三、將步驟二制得的表面具有SiO2涂層的SiC纖維放入步驟一配制的混合溶液中,在30-40℃恒溫水浴下保持8-20min后,洗滌烘干,再在惰性氣體保護下進行第一次熱處理;
步驟四、重復步驟三多次后,在SiO2涂層表面形成稀土磷酸鹽涂層;然后將制得的樣品在惰性氣體保護下進行第二次熱處理,由稀土磷酸鹽和SiO2反應轉化為稀土焦硅酸鹽,在SiC纖維表面形成具有稀土焦硅酸鹽涂層的界面相;
其中,步驟三中,第一次熱處理溫度為500~800℃,熱處理時間為30-50min;
步驟四中,第二次熱處理溫度為1100~1200℃,熱處理時間為8-12h;
步驟一中,稀土元素RE為鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥、釔和鈧中的任意一種;
步驟二中,對SiC纖維進行預處理的條件為:將SiC纖維預制件在500~700℃溫度下和惰性氣氛下除膠0.5~1小時。
2.根據權利要求1所述的一種界面相材料的制備方法,其特征在于,步驟一中配制硅溶膠的具體方法為:將正硅酸乙酯和無水乙醇混合均勻后,逐滴加入稀鹽酸和水的混合物,繼續恒溫密閉攪拌兩個小時,得到穩定、透明的硅溶膠。
3.根據權利要求1所述的一種界面相材料的制備方法,其特征在于,步驟一中,所述磷酸溶液的濃度為5~6mol/L,檸檬酸鹽儲備液的濃度為1~2mol/L。
4.根據權利要求3所述的一種界面相材料的制備方法,其特征在于,步驟一中,所述混合溶液中稀土正磷酸鹽REPO4的濃度為0.1~0.4mol/L。
5.根據權利要求1所述的一種界面相材料的制備方法,其特征在于,步驟三和步驟四中,所述惰性氣體均為氮氣或氬氣。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國人民解放軍國防科技大學,未經中國人民解放軍國防科技大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110754320.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種毫米波發生裝置
- 下一篇:一種GaN HEMT功率器件的動態電阻測試電路





