[發明專利]階梯型結構壓電濾波器

有效

• 申請號: 202110752137.2
• 申請日: 2021-06-30
• 公開（公告）號: CN113612464B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 張仕強;李麗;李宏軍;王勝福;李亮;申曉芳;張俊杰;梁東升;袁柯;韓易;彭朝霞;梁偉;曲曉華;范江海
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H03H9/54
• 分類號: H03H9/54;H03H9/17
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 彭競馳

1.一種階梯型結構壓電濾波器，其特征在于，包括輸入端子、輸出端子、接地端子、多個串聯的薄膜體聲波諧振器和多個并聯的薄膜體聲波諧振器；

所述多個串聯的薄膜體聲波諧振器包括依次連接的第一薄膜體聲波諧振器、第二薄膜體聲波諧振器、第三薄膜體聲波諧振器、第四薄膜體聲波諧振器、第五薄膜體聲波諧振器和第六薄膜體聲波諧振器，所述多個串聯的薄膜體聲波諧振器串聯連接在所述輸入端子和輸出端子之間；

所述多個并聯的薄膜體聲波諧振器包括第七薄膜體聲波諧振器、第八薄膜體聲波諧振器、第九薄膜體聲波諧振器和第十薄膜體聲波諧振器；所述第七薄膜體聲波諧振器和第八薄膜體聲波諧振器的一端依次連接在所述第一薄膜體聲波諧振器至第三薄膜體聲波諧振器之間的節點上；所述第九薄膜體聲波諧振器和第十薄膜體聲波諧振器的一端依次連接在所述第四薄膜體聲波諧振器至第六薄膜體聲波諧振器之間的節點上；且所述第八薄膜體聲波諧振器的另一端與所述第九薄膜體聲波諧振器的另一端連接后與所述接地端子連接；所述第七薄膜體聲波諧振器和所述第九薄膜體聲波諧振器的另一端分別與所述接地端子連接；

所述第一薄膜體聲波諧振器和所述第六薄膜體聲波諧振器的中心位于所述輸入端子和所述輸出端子所在的第一直線上，所述第三薄膜體聲波諧振器至所述第六薄膜體聲波諧振器的中心連線在一條直線上；所述第一薄膜體聲波諧振器的中心與所述第七薄膜體聲波諧振器的中心位于第二直線上，所述第六薄膜體聲波諧振器的中心與所述第十薄膜體聲波諧振器的中心位于第三直線上，所述第五薄膜體聲波諧振器的中心與所述第九薄膜體聲波諧振器的中心位于第四直線上，且所述第二直線、所述第三直線和所述第四直線分別相互平行；

所述第一薄膜體聲波諧振器至所述第三薄膜體聲波諧振器的中心連線構成第一V型結構，且第一V型結構的開口角度大于90°，所述第一V型結構的開口朝向所述第一直線的第一側；

所述第二薄膜體聲波諧振器至所述第四薄膜體聲波諧振器的中心連線構成第二V型結構，且所述第二V型結構的開口角度小于90°，所述第二V型結構的開口朝向所述第一直線的第二側，所述第一側與所述第二側相對；

所述第七薄膜體聲波諧振器和所述第十薄膜體聲波諧振器位于所述第一直線的第一側，所述第八薄膜體聲波諧振器和所述第九薄膜體聲波諧振器位于所述第一直線的第二側。

2.如權利要求1所述的階梯型結構壓電濾波器，其特征在于，所述多個串聯的薄膜體聲波諧振器的串聯諧振頻率和并聯諧振頻率相同；所述多個并聯的薄膜體聲波諧振器的串聯諧振頻率和并聯諧振頻率相同。

3.如權利要求1或2所述的階梯型結構壓電濾波器，其特征在于，所述多個串聯的薄膜體聲波諧振器的串聯諧振頻率和所述多個并聯的薄膜體聲波諧振器的并聯諧振頻率相同。

4.如權利要求1所述的階梯型結構壓電濾波器，其特征在于，所述第一薄膜體聲波諧振器的面積為18050μm²-18150μm²，所述第二薄膜體聲波諧振器和所述第四薄膜體聲波諧振器的面積為13250μm²-13350μm²，所述第三薄膜體聲波諧振器和所述第四薄膜體聲波諧振器的面積為8450μm²-8550μm²，所述第五薄膜體聲波諧振器的面積為12450μm²-12550μm²，所述第六薄膜體聲波諧振器的面積為15750μm²-15850μm²，所述第七薄膜體聲波諧振器的面積為25850μm²-25950μm²，所述第八薄膜體聲波諧振器和所述第九薄膜體聲波諧振器的面積為23450μm²-23550μm²，所述第十薄膜體聲波諧振器的面積為25650μm²-25750μm²。

5.如權利要求1所述的階梯型結構壓電濾波器，其特征在于，所述階梯型結構壓電濾波器的版圖主要包括犧牲層、下電極層、上電極層、差頻層和孔層，所述差頻層僅與所述多個并聯的薄膜體聲波諧振器對應，所述孔層中開設有多個釋放孔。