[發明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202110741032.7 | 申請日: | 2021-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN113488487A | 公開(公告)日: | 2021-10-08 |
| 發明(設計)人: | 嚴婷婷 | 申請(專利權)人: | 昆山龍騰光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產權代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
| 地址: | 215301 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜晶體管 陣列 顯示裝置 | ||
本發明涉及薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置,包括襯底基板、設置于襯底基板上的多條掃描線、與掃描線垂直的多條第一數據線和第二數據線、和多個像素單元構成的像素陣列,各個像素單元分別通過對應的薄膜晶體管連接至對應的掃描線和對應的第一數據線或對應的第二數據線,每列像素單元由對應的第一數據線和對應的第二數據線驅動;第一數據線與第二數據線相互絕緣、設置于不同層,連接到不同的像素單元,每列像素單元對應的第一數據線和對應的第二數據線相互平行,在襯底基板上的投影至少部分重疊,第一數據線和對應的第二數據線之間設置有公共電極層。本發明可以增加高分辨率顯示裝置的充電時間,增加顯示裝置的開口率并隔絕數據線之間的信號干擾。
技術領域
本發明涉及顯示面板技術領域,尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置。
背景技術
TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示裝置)具體圖像顯示品質好、低能耗以及低輻射等優點,廣泛應用于顯示器領域。
隨著TFT-LCD顯示裝置朝超高清、超窄邊框的方向發展,高分辨率的顯示裝置已成為行業的主流產品,但是實現高分辨率的同時,每個像素單元的充電時間不可避免的被壓縮,充電時間不夠則會影響顯示效果。為了解決高分辨率帶來的充電時間不夠的問題,目前一般通過將數據線的數量增加一倍,并通過同時掃描兩行柵極線的方式提高像素單元的充電時間。例如,刷新率為120Hz的顯示裝置,假設該顯示裝置中設置有100行像素單元,即100行柵極線,在逐行掃描時,掃描每一行像素單元的時間為1/(120*100)秒,而同時掃描兩行柵極線時,掃描每一行像素單元的時間為1/(120*50),可以明顯看出同時掃描兩行時,像素單元的充電時間也翻倍。
但是隨著數據線的增加,單個像素的開口率將降低,因此為了解決增加數據線后,單個像素開口率降低的問題,通過將數據線分層對應設置,但是隨之而來的是分層對應設置的數據線形成電容,不同層的數據線之間存在嚴重的信號干擾,影響顯示裝置的顯示效果。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置,可以在增加高分辨率顯示裝置的充電時間,以及增加顯示裝置的開口率的同時完全隔絕數據線之間的信號干擾。
為實現上述目的,本發明實施例第一方面提供一種薄膜晶體管陣列基板,作為其中一種實施方式,該薄膜晶體管陣列基板包括襯底基板、設置于所述襯底基板上的多條掃描線、與所述多條掃描線垂直的多條第一數據線和多條第二數據線、以及由多個像素單元構成的像素陣列,各個像素單元分別通過對應的薄膜晶體管連接至對應的掃描線以及對應的第一數據線或對應的第二數據線,每列所述像素單元由對應的第一數據線和對應的第二數據線驅動;
其中,所述第一數據線與所述第二數據線相互絕緣、設置于不同層,且連接到不同的像素單元,每列所述像素單元對應的第一數據線和對應的第二數據線相互平行,且在所述襯底基板上的投影至少部分重疊,且所述第一數據線和對應的第二數據線之間設置有公共電極層。
作為其中一種實施方式,同列相鄰的兩個所述像素單元中,一個所述像素單元連接至對應的第一數據線,另一個所述像素單元連接至對應的第二數據線。
作為其中一種實施方式,同行相鄰的兩個所述像素單元中,一個所述像素單元連接至對應的第一數據線,另一個所述像素單元連接至對應的第二數據線。
作為其中一種實施方式,所述多行像素單元中,每兩行所述像素單元在所述薄膜晶體管陣列基板工作時,同時接收相同的掃描信號。
作為其中一種實施方式,第2n-1行所述像素單元與第2n行所述像素單元,在所述薄膜晶體管陣列基板工作時同時接收相同的掃描信號,其中,n為大于或等于1的自然數。
作為其中一種實施方式,還包括第一鈍化層和第二鈍化層,所述第一鈍化層設置于所述第一數據線和所述公共電極層之間,所述第二鈍化層設置于所述第一數據線對應的第二數據線和所述公共電極層之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





