[發明專利]顯示面板有效
| 申請號: | 202110735901.5 | 申請日: | 2021-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN113327971B | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發明(設計)人: | 丁可;顧宇 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
本申請實施例公開了一種顯示面板,包括基板、薄膜晶體管層、電極層、像素定義層以及發光功能層,顯示區上設置有像素,像素包括薄膜晶體管、電極和發光功能部,薄膜晶體管位于薄膜晶體管層,電極位于電極層,發光功能部位于發光功能層。電極在基板上的正投影面積為D,發光功能部與電極相連接的區域在基板上的正投影面積為P,定義像素的反射補償參數值為D/P;顯示區包括第一顯示區和第二顯示區,第一顯示區內像素的反射補償參數值小于第二顯示區內像素的反射補償參數值。本申請通過調整第一顯示區和/或第二顯示區上像素的反射補償參數值來改善第一顯示區和第二顯示區之間的亮度差異,使顯示面板的視覺亮度均勻。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體涉及一種顯示面板。
背景技術
目前市場上的有機發光顯示面板中,當人眼正視顯示區中心位置時會感覺顯示區邊緣的顯示亮度小于顯示區中心,從而導致顯示區邊緣與中心產生視覺亮度差異,降低了顯示面板的顯示質量。
發明內容
本申請實施例提供一種顯示面板,解決了現有技術中因視角差異而導致的顯示面板亮度不均勻的技術問題。
本申請實施例提供一種顯示面板,包括:基板;薄膜晶體管層,設置在所述基板上;電極層,設置在所述薄膜晶體管層上,且所述電極層包括:多個設置在所述第一顯示區中且與所述第一像素對應的第一電極,和多個設置在所述第二顯示區中且與所述第二像素對應的第二電極;發光功能層,設置在所述電極層上,且所述發光功能層包括:多個設置在所述第一顯示區中且與第一像素對應的第一發光功能部,和多個設置在所述第二顯示區中且與第二像素對應的第二發光功能部;其中,所述第一電極在所述基板上的正投影面積為D1,所述第一發光功能部與所述第一電極相連接的區域在所述基板上的正投影面積為P1,所述第一像素的反射補償參數值為D1/P1;所述第二電極在所述基板上的正投影面積為D2,所述第二發光功能部與所述第二電極相連接的區域在所述基板上的正投影面積為P2,所述第二像素的反射補償參數值為D2/P2;所述第一像素的反射補償參數值小于所述第二像素的反射補償參數值。
可選的,在本申請的一些實施例中,所述第一顯示區靠近所述顯示面板的中心區域,所述第二顯示區遠離所述顯示面板的中心區域。
可選的,在本申請的一些實施例中,所述顯示面板包括:設置在顯示區的多個像素,所述顯示區包括所述第一顯示區和所述第二顯示區,在沿所述顯示區中心至所述顯示區邊緣的方向上,所述像素的反射補償參數值逐漸增大。
可選的,在本申請的一些實施例中,所述第二顯示區中且沿所述顯示區中心至所述顯示區邊緣的方向上,多個所述第二像素的反射補償參數值逐漸增大。
可選的,在本申請的一些實施例中,所述第二顯示區環繞所述第一顯示區。
可選的,在本申請的一些實施例中,所述第二顯示區與所述第一顯示區鄰接,所述第二顯示區遠離所述第一顯示區的側邊距離所述第一顯示區的距離小于等于30mm。
可選的,在本申請的一些實施例中,所述第一像素的反射補償參數值的范圍為1至1.4,所述第二像素的反射補償參數值的范圍為1.4至2。
可選的,在本申請的一些實施例中,P1等于P2,且D1小于D2。
可選的,在本申請的一些實施例中,顯示面板還包括設置在所述電極層上的像素定義層,所述像素定義層沿厚度方向開設有第一開口和第二開口,所述第一發光功能部設置在所述第一開口,所述第一開口露出所述第一電極,所述第一發光功能部通過所述第一開口與所述第一電極連接;所述第二發光功能部設置在所述第二開口,所述第二開口露出所述第二電極,所述第二發光功能部通過所述第二開口與所述第二電極連接,其中,所述第一開口的開口尺寸與所述第二開口的開口尺寸相同。
可選的,在本申請的一些實施例中,還包括驅動芯片,所述驅動芯片靠近所述第一顯示區設置,所述驅動芯片遠離所述第二顯示區。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





