[發明專利]傳送裝置和處理系統

在審

• 申請號: 202110734999.2
• 申請日: 2021-06-30
• 公開（公告）號: CN113488422A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 辛孟陽;余飛;羅功林
• 申請（專利權）人: 北京屹唐半導體科技股份有限公司;瑪特森技術公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677
• 代理公司: 北京易光知識產權代理有限公司 11596
• 代理人: 崔曉光

1.一種傳送裝置，包括：

第一傳送組件，用于向腔室傳送第一工件；

第二傳送組件，用于從所述腔室傳送出第二工件；

阻隔組件，設置于所述第一傳送組件與所述第二傳送組件之間，用于阻隔所述第一工件和所述第二工件的能量傳遞；

支撐組件，用于將所述阻隔組件限制在所述第一傳送組件與所述第二傳送組件之間；

其中，所述第一傳送組件的第一端耦合所述支撐組件，所述第一傳送組件的第二端用于沿著第一工件傳送方向往復運動；并且，所述第二傳送組件的第一端耦合所述支撐組件，所述第二傳送組件的第二端用于沿著第二工件傳送方向往復運動。

2.根據權利要求1所述的傳送裝置，其中，所述第二工件的溫度高于所述第一工件的溫度，所述隔離組件用于阻隔所述第二工件向所述第一工件傳送能量，以降低對所述第一工件的光阻收縮的效應而增強去灰速率的可重復性。

3.根據權利要求2所述的傳送裝置，其中，所述阻隔組件位于所述第一傳送組件下方，以及所述第二傳送組件的上方。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的傳送裝置，其中所述能量包括紅外輻射，所述紅外輻射的波長范圍為約1微米至約20微米。

5.根據權利要求1至3中任一項中所述的傳送裝置，其中所述阻隔組件包括紅外反射表面以阻隔所述紅外輻射。

6.根據權利要求1至3中任一項中所述的傳送裝置，其中所述阻隔組件包括冷源以降低所述阻隔組件溫度。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的傳送裝置，其中所述阻隔組件的厚度范圍為約2.5毫米至約3.5毫米。

8.根據權利要求1至3中任一項中任一項所述的傳送裝置，其中所述阻隔組件與所述第一傳送組件和所述第二傳送組件垂直投影方向上等間隔。

9.根據權利要求1至3中任一項所述的傳送裝置，其中所述阻隔組件由金屬構成。

10.根據權利要求9所述的傳送裝置，其中所述金屬為鋁。

11.根據權利要求10所述的傳送裝置，其中所述鋁為6061-T6鋁。

12.根據權利要求9所述的傳送裝置，其中所述金屬包括紅外反射層。

13.根據權利要求12所述的傳送裝置，其中所述紅外反射層面向所述第二傳送組件。

14.根據權利要求1至3中任一項所述的傳送裝置，其中所述阻隔組件由非金屬構成。

15.根據權利要求14所述的傳送裝置，其中所述非金屬包括PTFE、石墨、石英、陶瓷中的至少之一或其組合。

16.根據權利要求1至3中任一項所述的傳送裝置，其中所述第一傳送組件和所述第二傳送組件垂直投影方向上的距離的范圍為約4毫米至約5毫米。

17.根據權利要求1至3中任一項所述的傳送裝置，其中，所述第一傳送組件包括至少一個傳送臂，所述傳送臂用于向所述腔室傳送第一工件。

18.根據權利要求1至3中任一項所述的傳送裝置，其中，所述第二傳送組件包括至少一個傳送臂，所述傳送臂用于從所述腔室傳送出第二工件。

19.根據權利要求1至3中任一項所述的傳送裝置，其中，所述第一傳送組件包括第一傳送臂，所述第二傳送組件包括第二傳送臂，所述第一傳送臂和所述第二傳送臂是上下同軸的，所述第一傳送臂的一端和所述第二傳送臂的一端分別連接在所述支撐組件的第一軸。