[發(fā)明專利]3D存儲(chǔ)器件的柵線縫隙圖案化方法及曝光掩模在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110731776.0 | 申請日: | 2021-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN113643963A | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張昆;張雷;郭亞麗 | 申請(專利權(quán))人: | 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/033;H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡純 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲(chǔ) 器件 縫隙 圖案 方法 曝光 | ||
1.一種用于3D存儲(chǔ)器件的曝光掩模,所述3D存儲(chǔ)器件包括具有端部的結(jié)構(gòu)特征,所述曝光掩模包括:
基板;以及
位于所述基板上的掩模圖案,所述掩模圖案包括與所述結(jié)構(gòu)特征相對應(yīng)的特征圖形,以及鄰近所述特征圖形的亞分辨率輔助圖形,
其中,所述亞分辨率輔助圖形至少部分圍繞所述特征圖形的端部邊角,以優(yōu)化所述結(jié)構(gòu)特征的端部形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光掩模,其中,所述特征圖形的端部包括至少兩個(gè)邊角,每個(gè)所述邊角對應(yīng)設(shè)置一個(gè)呈彎折結(jié)構(gòu)、且圍繞該邊角設(shè)置的所述亞分辨率輔助圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光掩模,其中,每個(gè)所述亞分辨率輔助圖形包括兩個(gè)相互連接的條狀圖形,兩個(gè)所述條狀圖形分別與對應(yīng)的所述邊角的兩個(gè)側(cè)邊平行。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光掩模,其中,所述特征圖形的端部為矩形圖案,所述亞分辨率輔助圖形的數(shù)量為兩個(gè),分別為第一L形圖形和第二L形圖形;
所述第一L形圖形、所述第二L形圖形分別包括:沿著所述矩形圖案的側(cè)邊延伸的第一條狀圖形,以及沿著所述矩形圖案的頂邊延伸的第二條狀圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光掩模,其中,所述亞分辨率輔助圖形包括與所述特征圖形的端部的側(cè)邊一一對應(yīng)設(shè)置的多個(gè)條狀圖形,多個(gè)所述條狀圖形連接在一起,以圍繞所述特征圖形的端部設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的曝光掩模,其中,所述特征圖形的端部為矩形圖案,所述亞分辨率輔助圖形包括三個(gè)所述條狀圖形,相鄰的所述條狀圖形相互連接,構(gòu)成圍繞所述特征圖形的端部設(shè)置的凹字形圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求3至6中任一項(xiàng)所述的曝光掩模,其中,相互連接的兩個(gè)所述條狀圖形構(gòu)成靠近所述特征圖形的內(nèi)凹部和遠(yuǎn)離所述特征圖形的外凸部,所述內(nèi)凹部、所述外凸部分別包括連接在一起的至少兩段折線;或者,所述內(nèi)凹部、所述外凸部分別包括一段弧線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光掩模,其中,所述亞分辨率輔助圖形的寬度為1.5~2.5倍的光刻系統(tǒng)的成像分辨率。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光掩模,其中,所述亞分辨率輔助圖形與所述特征圖形的間距為20nm~30nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光掩模,其中,所述結(jié)構(gòu)特征包括所述3D存儲(chǔ)器中的開口和條帶中的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光掩模,其中,所述特征圖形包括選自掩模層中的開口和條帶的至少一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光掩模,其中,所述特征圖形的中間部分的側(cè)邊為折線,以獲得沿著所述特征圖形的長度方向變化的寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光掩模,其中,對應(yīng)于所述掩模圖案的光致抗蝕劑圖案的特征圖形的端部形狀,與所述結(jié)構(gòu)特征的端部形狀相對應(yīng)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的曝光掩模,其中,所述光致抗蝕劑圖案的特征圖形的端部形狀為選自半圓形和圓弧形的任意一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的曝光掩模,其中,所述結(jié)構(gòu)特征的寬度大致等于臨界尺寸,所述光致抗蝕劑圖案的特征圖形的端部形狀隨著臨界尺寸的減小從半圓形變化至圓弧形,以維持曲率半徑。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的曝光掩模,其中,所述光致抗蝕劑圖案的特征圖形的端部和中間部的寬度大致相等。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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