[發明專利]一種用于多晶硅提純的電磁加熱爐

有效

• 申請號: 202110728901.2
• 申請日: 2021-06-29
• 公開（公告）號: CN113357913B
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: 曹明貴
• 申請（專利權）人: 吉利硅谷（谷城）科技有限公司
• 主分類號: F27B17/00
• 分類號: F27B17/00;F27D11/06;C01B33/037
• 代理公司: 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335
• 代理人: 吳甘棠

本發明涉及硅錠制造技術領域，且公開了一種用于多晶硅提純的電磁加熱爐，通過復位塞活動套接在復位管的內部，使得當多晶硅放置在復位型載料板和固定式載料板的頂部，此時調節三角槽的外形呈三角且頂部的寬度大于底部的寬度，并且調節三角槽與固定式載料板和復位型載料板相對應，使得復位型載料板和固定式載料板從呈交錯布置的方式變化為對應布置的方式，此時復位型載料板和固定式載料板所形成的網格距離較大，使得多晶硅熔化后的液體能夠通過復位型載料板和固定式載料板并沿著斜面儲液槽內壁的斜面進入到儲液裝置的內部，避免液態多晶硅向下流動時受到的阻力過高使得在高溫下與石英發生反應導致變質的問題，提高了該裝置熔化過程中的穩定性。

技術領域

本發明涉及硅錠制造技術領域，具體為一種用于多晶硅提純的電磁加熱爐。

背景技術

單質硅時生產芯片中必不可少的材料之一，而單質硅需要從多晶硅中進行提純，現有運用最為廣泛的提純技術就是從熔融狀態下的多晶硅通過直拉法進行提純，并且這種技術中最為關鍵的步驟就是堆多晶硅的熔化，通過將高頻高壓交變電通入線圈產生高溫來對爐內的多晶硅進行加熱，可以很輕松的使爐內的多晶硅達到熔點，由于多晶硅具有非常優秀的隔熱性，使得多晶硅的熔融速度較慢，所以操作員會將溫度數值設置在一個較高的水平下，從而提高多晶硅的熔融速度，這也是目前使用最為廣泛的方式。

由于多晶硅的熔點和與石英材質的加熱爐發生反應的臨界溫度點較為接近，溫度一旦控制不好就極易發生熔融狀態的多晶硅與石英發生反應導致液態的多晶硅受到污染使得后續的提純步驟無法進行，并且參與熔融的多晶硅也無法再次使用，導致資源的浪費，若采取加熱至多晶硅熔點又會使多晶硅的整個熔融過程非常的漫長，使得生產效率降低，對此，本申請文件提出一種用于多晶硅提純的電磁加熱爐，旨在解決上述所提出的問題。

發明內容

針對背景技術中提出的現有用于多晶硅提純的電磁加熱爐在使用過程中存在的不足，本發明提供了一種用于多晶硅提純的電磁加熱爐，具備即可高溫加速多晶硅熔融速度也可避免熔融狀態下的多晶硅與石英材質的熔爐發生反應的優點，解決了傳統設備易出現熔融狀態下的多晶硅與石英材質的熔爐發生反應的問題。

本發明提供如下技術方案：一種用于多晶硅提純的電磁加熱爐，包括外殼，其特征在于：所述外殼內腔的底部固定安裝有支撐柱，所述支撐柱的頂部固定安裝有圓形加熱板，所述外殼內腔底部且位于支撐柱外側的位置上固定安裝有支撐座，所述支撐座的頂部固定安裝有支撐環，所述支撐環的頂部放置有儲液裝置，所述儲液裝置的內部活動套接有承載裝置，所述外殼內壁且位于承載裝置上方的位置上固定安裝有雙管型加熱器，所述外殼外表面且位于雙管型加熱器上方的位置上固定安裝有入料口，所述儲液裝置的內部固定套接有姿態調整裝置。

優選的，所述儲液裝置包括斜面儲液槽，所述斜面儲液槽的內壁設置為斜面，所述斜面儲液槽的頂部固定安裝有行程套筒，所述行程套筒的內壁上開設有行程槽且行程槽的內部活動套接有承載裝置，所述行程槽的頂部固定安裝有觸發開關，所述觸發開關的輸出端通過信號連接的方式與雙管型加熱器的輸入端相連接，所述行程槽的底部且位于斜面儲液槽外側的位置上固定安裝有復位管。

優選的，所述承載裝置包括防漏板，所述防漏板的外表面固定套接有固定式載料板，所述防漏板的底部固定安裝有限位環，所述防漏板外表面且位于固定式載料板和限位環之間的位置上活動套接有復位型載料板，所述復位型載料板與固定式載料板之間呈交錯式布置，所述固定式載料板的外表面固定安裝有外固定架，所述外固定架的底部固定安裝有復位塞且復位塞的數量為六個并以環形陣列的方式分布，所述復位塞活動套接在復位管的內部。

優選的，所述姿態調整裝置包括調節環形板，所述調節環形板的頂部開設有調節三角槽，所述調節三角槽的外形呈三角且頂部的寬度大于底部的寬度，所述調節三角槽與固定式載料板和復位型載料板相對應。

優選的，所述雙管型加熱器由兩層環形電磁加熱板構成，所述雙管型加熱器外側位于行程套筒的外側且雙管型加熱器內側位于防漏板的內側。

本發明具備以下有益效果：