[發明專利]一種高速鋁銦鎵砷分布反饋式激光器外延結構生長方法

有效

• 申請號: 202110711268.6
• 申請日: 2021-06-25
• 公開（公告）號: CN113300214B
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發明（設計）人: 單智發;張永;陳陽華;李洪雨
• 申請（專利權）人: 全磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;H01S5/12
• 代理公司: 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙) 32251
• 代理人: 劉計成

1.一種高速鋁銦鎵砷分布反饋式激光器外延結構生長方法，其特征在于，其包括如步驟：

1）首先將InP基底放置在MOCVD設備中，以H₂為載氣，?TMIn、TMGa、TMAl、DeZn、SiH4、AsH3、?PH3、In、Zn、P和Sb為反應源氣體，生長InP緩沖層、InGaAsP光柵層及InP覆蓋層，生長完成后的外延片采用電子束曝光的方法，形成非對稱相移光柵；

2）把帶有光柵圖形的外延片繼續放入MOCVD設備中，依次生長InP掩埋層、AlGaInAs限制層、下波導層、量子阱、上波導層、AlGaInAs限制層、InGaAsP腐蝕阻擋層；

3）在InGaAsP腐蝕阻擋層上繼續生長InP聯接層，InGaAsP勢壘過渡層和InGaAs接觸層，在生長InP聯接層末端時，在源氣體中增加表面活性劑材料三乙基銻直到生長結束，使InGaAs歐姆接觸層中Zn的摻雜濃度大于1E20cm-3。

2.根據權利要求1所述的高速鋁銦鎵砷分布反饋式激光器外延結構生長方法，其特征在于，在步驟3）中，當生長完InP聯接層，開始生長InGaAsP勢壘過渡層時，In和Zn的MO源關閉，P和Sb的源氣體持續通入到MOCVD腔體。

3.根據權利要求1所述的高速鋁銦鎵砷分布反饋式激光器外延結構生長方法，其特征在于，步驟3）中InP聯接層末端厚度占InP聯接層總厚度三分一。

4.根據權利要求1所述的高速鋁銦鎵砷分布反饋式激光器外延結構生長方法，其特征在于，生長InGaAs歐姆接觸層時，TESb有效量為25sccm。

5.根據權利要求1所述的高速鋁銦鎵砷分布反饋式激光器外延結構生長方法，其特征在于，在生長InP聯接層末端時，在源氣體中增加表面活性劑材料三乙基銻的有效量為10sccm。

6.根據權利要求1所述的高速鋁銦鎵砷分布反饋式激光器外延結構生長方法，其特征在于，InP掩埋層的生長步驟為：給MOCVD?系統反應室通入PH?3氣體以保護外延片結構，讓反應室升溫至?530℃-570℃，然后在t?1時間段內往反應室通入TMIn反應源氣體在光柵層上面生長InP掩埋層的形核層，接著在t?2時間段內關閉進入反應室的?TMIn反應源氣體，給已生長IInP掩埋層的形核層中的原子遷移提供時間，穩定已生長?InP掩埋層的形核層，再接著在t?3時間段內往反應室通入TMIn反應源氣體在已生長的InP掩埋層的形核層上繼續生長InP掩埋層的基體層，再接著在t?4時間段內關閉進入反應室的TMIn反應源氣體，穩定后面生長InP掩埋層的基體層，如此以t?1+t?2+t?3+t?4=?t?5作為一個生長周期循環生長InP掩埋層將外延片上的光柵層掩埋平。