[發(fā)明專利]一種核反應(yīng)堆燃料包殼納米復(fù)合涂層及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110707330.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113430488B | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬大衍;惲迪;李浩;劉俊凱;楊健喬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/02 | 分類號(hào): | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/32;C23C14/35;G21C3/07 |
| 代理公司: | 西安銘澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 梁靜 |
| 地址: | 710048 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 核反應(yīng)堆 燃料 納米 復(fù)合 涂層 及其 制備 方法 | ||
1.一種核反應(yīng)堆燃料包殼納米復(fù)合涂層,其特征在于,包括在核燃料包殼表面依次疊層設(shè)置的金屬層、第一過渡層、第二過渡層及功能層;
所述金屬層的成分為Cr;
所述第一過渡層的成分為CrN;所述CrN中的Cr含量為60~70at%,N含量為30~40at%;
所述第二過渡層的成分為CrCN;所述CrCN中的Cr含量為50~60at%,C含量為12~18at%,N含量為20~30at%;
所述功能層的成分為CrTiSiCN;所述CrTiSiCN中的Cr的含量為27.4-33.6at%,Ti含量為33.0-45.9at%,Si含量為2.7%-5.0at%,C含量為9.8-22.2at%,N含量為8.6%-25.0at%;
所述納米復(fù)合涂層的復(fù)合結(jié)構(gòu)為nc-(Cr,Ti)(C,N)/a-Si3N4/a-C;
所述金屬層的厚度為0.2-0.4μm,所述第一過渡層的厚度為0.3-0.5μm,所述第二過渡層的厚度為0.5-0.7μm,所述功能層的厚度約為5-6μm。
2.一種權(quán)利要求1所述的核反應(yīng)堆燃料包殼納米復(fù)合涂層的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、對(duì)包殼基材表面進(jìn)行拋光、噴砂預(yù)處理;
S2、在惰性氣體氣氛中,采用射頻離子源對(duì)基材表面進(jìn)行離子刻蝕,隨后在基材表面進(jìn)行第一陰極弧等離子體沉積,得到金屬層;
S3、在氮?dú)鈿夥罩校婵斩葹?.0-1.5Pa下,在金屬層表面進(jìn)行第一陰極弧等離子體沉積,得到第一過渡層;
S4、在惰性氣體和氮?dú)鈿夥罩校婵斩葹?.5-0.7Pa下,在第一過渡層表面同步進(jìn)行直流磁控濺射和第一陰極弧等離子體沉積,得到第二過渡層;
S5、在惰性氣體和氮?dú)鈿夥罩校诘诙^渡層表面同步進(jìn)行直流磁控濺射、第一陰極弧等離子體沉積、第二陰極弧等離子體沉積,得到功能層;
即得核反應(yīng)堆燃料包殼納米復(fù)合涂層;
其中,所述第一陰極弧等離子體沉積的靶材為金屬Cr靶;所述直流磁控濺射的靶材為C靶;所述第二陰極弧等離子體沉積的靶材為TiSi合金靶。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的核反應(yīng)堆燃料包殼納米復(fù)合涂層的制備方法,其特征在于,所述C靶為石墨靶;所述TiSi合金中Ti含量為85at%,Si含量為15at%。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的核反應(yīng)堆燃料包殼納米復(fù)合涂層的制備方法,其特征在于,
S2中,所述第一陰極弧等離子體沉積的條件包括:時(shí)間20-40min,偏壓100~400V,弧流100A,占空比為30~50%;
S3中,所述第一陰極弧等離子體沉積的條件包括:時(shí)間10-15min,偏壓100V,弧流100A。占空比為30~50%;
S4中,所述第一陰極弧等離子體沉積的條件包括:時(shí)間10-15min,偏壓100V,弧流100A,占空比為30~50%;所述直流磁控濺射的條件包括:時(shí)間10-15min,偏壓為100V,濺射電流為2.0-2.5A;
S5中,所述第一陰極弧等離子體沉積的條件包括:時(shí)間100-120min,偏壓100V,弧流100A,占空比為30~50%;所述第二陰極弧等離子體沉積的條件包括:時(shí)間100-120min,偏壓100V,弧流100A,占空比為30~50%;所述直流磁控濺射的條件包括:時(shí)間100~120min,濺射電流為2.5-3.5A。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的核反應(yīng)堆燃料包殼納米復(fù)合涂層的制備方法,其特征在于,S3中,氮?dú)獾牧髁繛?00~500sccm;S4和S5中,惰性氣體與氮?dú)獾牧髁勘染鶠?:1。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的核反應(yīng)堆燃料包殼納米復(fù)合涂層的制備方法,其特征在于,S2中,離子刻蝕過程中,設(shè)置離子源電壓為500V,占空比為50%,真空度0.3-0.7Pa,偏壓為600-800V,刻蝕時(shí)間為20-30min。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





