[發明專利]掩膜版、陣列基板的制作方法及顯示面板

有效

• 申請號: 202110707248.1
• 申請日: 2021-06-23
• 公開（公告）號: CN113467179B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 王光加;袁海江
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/38;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 魏潤潔

1.一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管間隔設置的柱狀隔墊物，所述薄膜晶體管包括間隔設置的柵極、源極及漏極，所述源極與漏極之間形成有溝道區域，其特征在于，該方法包括以下步驟：

提供一基底，在所述基底上自下而上依次形成柵極和柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上依次沉積半導體層、第一金屬層及第一光阻層，所述半導體層對應所述柵極的位置設有溝道區域；

提供一掩膜版，所述掩膜版包括與所述溝道區域對應的第一曝光區、位于所述第一曝光區一側的待形成源極的第二曝光區、位于所述第一曝光區相對的另一側的待形成漏極的第三曝光區，以及位于所述第三曝光區背離所述第一曝光區一側的第四曝光區，所述第一曝光區與所述第四曝光區均為半透光區域；

將所述掩膜版設于所述第一光阻層的上方，對所述第一光阻層進行曝光并顯影，與所述第一曝光區和第四曝光區對應的第一光阻層可以部分被洗去部分留下來，與所述第四曝光區對應的經過顯影后部分留下來的第一光阻層在待形成漏極的第一金屬層的外周緣，經過顯影后部分留下來的第一光阻層對待形成溝道區域和待形成漏極的區域進行保護，減少被蝕刻的幾率；

利用剩余的第一光阻層圖案化所述半導體層和第一金屬層，去除所述溝道區域的第一光阻層和第四曝光區的第一光阻層，并將不透光區域對應的完全保留的第一光阻層去除掉，形成位于柵極絕緣層上的有源層和位于所述有源層上的間隔設置的源極與漏極；與所述第一曝光區和第四曝光區對應的經過顯影后部分留下來的所述第一光阻層對所述半導體層和所述第一金屬層進行保護，在對所述半導體層和第一金屬層圖案化的過程中，減少形成的所述溝道區域和所述漏極周緣的尺寸損失，以減小所述漏極的設計尺寸，為所述柱狀隔墊物預留更多的設計空間；

在所述柵極絕緣層上沉積待形成柱狀隔墊物的第二光阻層；

圖案化所述第二光阻層，形成與所述漏極間隔設置的柱狀隔墊物。

2.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第四曝光區的寬度范圍為1~2μm；

和/或，所述第一曝光區的寬度范圍為3~5μm。

3.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述掩膜版還包括第五曝光區，所述第五曝光區設于所述第四曝光區背離所述第三曝光區的一側。

4.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一曝光區與所述第四曝光區的透光率相同；

和/或，所述第四曝光區與所述第三曝光區無間隙設置。

5.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第三曝光區和所述第四曝光區均呈U型設置，且所述第四曝光區與所述第三曝光區相向的兩邊緣長度相一致。

6.如權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二曝光區和第三曝光區為不透光區域，所述第五曝光區為全透光區域，所述第一光阻層的材質為正性光阻。

7.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述“利用剩余的第一光阻層圖案化所述半導體層和第一金屬層，去除所述溝道區域的第一光阻層和第四曝光區的第一光阻層，并將不透光區域對應的完全保留的第一光阻層去除掉，形成位于柵極絕緣層上的有源層和位于所述有源層上的間隔設置的源極與漏極”的步驟具體為：

進行第一次蝕刻，去除未被所述第一光阻層遮蓋的第一金屬層和半導體層；

進行灰化制程，去除所述溝道區域的第一光阻層和第四曝光區的第一光阻層；

進行第二次蝕刻，去除所述溝道區域的第一金屬層和部分半導體層，以及所述第四曝光區的第一金屬層和半導體層，形成有源層、與有源層兩端接觸且間隔設置的源極和漏極。