[發明專利]一種提高LED出光率的玻璃封裝方法

有效

• 申請號: 202110705908.2
• 申請日: 2021-06-24
• 公開（公告）號: CN113471353B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 李國琪;詹鑫源
• 申請（專利權）人: 深圳市方晶科技有限公司
• 主分類號: H01L33/60
• 分類號: H01L33/60;H01L33/56
• 代理公司: 無錫智麥知識產權代理事務所(普通合伙) 32492
• 代理人: 宋春榮

1.一種提高LED出光率的玻璃封裝方法，其特征在于，由上而下依次疊放藍寶石襯底、氮化鎵層、金屬導電層、玻璃基板；其中，沿遠離藍寶石襯底的方向，氮化鎵層包括氮化鎵外延N型層、氮化鎵外延發光層、氮化鎵外延P型層；在玻璃基板的背面加工光反射層，具體方法如下：

（1）先以聚苯乙烯為模板，以正硅酸乙酯為原料，制備多孔二氧化硅微球，接著將硝酸氧鋯水合物、多孔二氧化硅微球混合制成漿料，通過光固化形成坯體，氮化燒結處理，得到復合微球；

（2）再以復合微球與氧化銻為原料配制成預混料，備用；

（3）然后在玻璃基板的背面沉積鈦酸鍶鋇薄膜，接著在鈦酸鍶鋇薄膜表面旋涂預混料，后處理，即可形成光反射層。

2.根據權利要求1所述的一種提高LED出光率的玻璃封裝方法，其特征在于，金屬導電層分為區域N和區域P，分別通過金屬粘附層粘結至玻璃基板上；在區域N和區域P上分別通過導電焊接材料焊接金屬電極N、金屬電極P，前者依次穿過氮化鎵外延P型層、氮化鎵外延發光層，并與氮化鎵外延N型層接觸，后者與氮化鎵外延P型層接觸；在氮化鎵層外周涂覆無機絕緣介質，其中，金屬電極N穿過氮化鎵層部分的側面也涂覆無機絕緣介質。

3.根據權利要求1所述的一種提高LED出光率的玻璃封裝方法，其特征在于，步驟（1）中，以重量份計，多孔二氧化硅微球的制備方法如下：先將1份聚苯乙烯種子加入到12～15份氨水乙醇溶液中，攪拌分散均勻，得到種子懸浮液；再將2～3份正硅酸乙酯加入6～8份無水乙醇中，攪拌分散均勻，得到正硅酸乙酯溶液；然后將正硅酸乙酯溶液與5～7份氨水乙醇溶液同時加入種子懸浮液中，攪拌反應3～4小時，靜置1～2小時，離心，洗滌，煅燒，記得所述的多孔二氧化硅微球；其中，氨水乙醇溶液是將質量濃度25%氨水溶液與無水乙醇以體積比1：5攪拌混勻而得。

4.根據權利要求1所述的一種提高LED出光率的玻璃封裝方法，其特征在于，步驟（1）中，以重量份計，坯體的制備方法如下：先在避光條件下，將1份硝酸氧鋯水合物、0.3～0.5份多孔二氧化硅微球、0.2～0.3份聚乙二醇400、0.03～0.05份2,4,6-三甲基苯甲酰基膦酸乙酯、5～7份乙二醇混合研磨，制成漿料；接著將漿料逐滴滴入15～17份二甲基硅油中，形成球形液滴；然后紫外光照射，發生光固化，離心，洗滌，干燥，即得所述的坯體。

5.根據權利要求1所述的一種提高LED出光率的玻璃封裝方法，其特征在于，步驟（1）中，氮化燒結處理的具體方法為：先將坯體平鋪于坩堝底部，并在坩堝上方加蓋石墨板，以50mL/min流速持續通氬氣，并加熱，直至800℃，再以200mL/min流速持續通氮氣，繼續加熱至1500℃，保溫3～4小時，自然冷卻至室溫即可。

6.根據權利要求1所述的一種提高LED出光率的玻璃封裝方法，其特征在于，以重量份計，步驟（2）的具體方法為：將1份復合微球與3～5份氧化銻加入10～12份聚乙二醇200中，研磨混勻即得預混料。

7.根據權利要求1所述的一種提高LED出光率的玻璃封裝方法，其特征在于，步驟（3）中，以重量份計，在玻璃基板的背面沉積鈦酸鍶鋇薄膜的具體方法如下：先將0.05～0.06份硝酸鋇、0.17～0.18份硝酸鍶、0.2～0.25份氟鈦酸銨、0.19～0.21份硼酸分別利用100份水配制成相應的溶液，再將這些溶液混合攪勻，調整pH=3～3.2，抽真空至沒有氣泡排出，得到預混液；然后將玻璃基板全部浸入Piranha溶液中，浸泡處理2小時，乙醇清洗后氮氣吹干，然后將玻璃基板全部浸入質量濃度1%的十八烷基三氯硅烷甲苯溶液中，浸泡處理35分鐘，取出后乙酸乙酯清洗并氮氣吹干，得到預處理玻璃基板；最后將玻璃基板全部浸入預混液中，52～55℃靜置20～25小時，取出后烘干，即可實現在玻璃基板的背面沉積鈦酸鍶鋇薄膜。

8.根據權利要求1所述的一種提高LED出光率的玻璃封裝方法，其特征在于，步驟（3）中，旋涂的工藝條件為：轉速6000～7000r/min，旋涂時間為40～50s。

9.根據權利要求1所述的一種提高LED出光率的玻璃封裝方法，其特征在于，步驟（3）中，后處理的工藝條件為：600～700℃處理3～5小時。