[發明專利]碳納米管混合體系及制備方法、電子發射器和發射裝置

無效

• 申請號: 200810091138.1
• 申請日: 2008-04-07
• 公開（公告）號: CN101279732A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發明（設計）人: 金潤珍;金載明;文希誠
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02;H01J1/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張波

1、一種碳納米管混合體系，包括

通過使碳化物化合物與含鹵族氣體反應以提取除碳之外的該碳化物化合物的元素而形成的碳化物衍生碳；

支撐在該碳化物衍生碳上的金屬；以及

從提供的碳源生長在該碳化物衍生碳上的碳納米管。

2、權利要求1所述的碳納米管混合體系，其中該金屬是Ni、Co、Fe或W中至少之一，基于該金屬和該碳化物衍生碳的總量是100重量份，該金屬的量是0.1至20重量份。

3、如權利要求2所述的碳納米管混合體系，其中該金屬還包括Mo。

4、如權利要求1所述的碳納米管混合體系，其中該碳納米管在相同方向或隨機方向上生長。

5、如權利要求4所述的碳納米管混合體系，其中該碳納米管垂直于該碳化物衍生碳的表面生長。

6、如權利要求1所述的碳納米管混合體系，其中當使用拉曼峰分析時，該碳化物衍生碳具有的在1590cm^-1的石墨G帶與在1350cm^-1的無序誘導D帶的強度比率在0.3到5范圍內。

7、如權利要求1所述的碳納米管混合體系，其中該碳化物衍生碳的布魯瑙厄-埃梅特-泰勒表面積大于950m²/g。

8、如權利要求1所述的碳納米管混合體系，其中當使用X射線衍射分析時，該碳化物衍生碳具有在2θ＝25°的石墨(002)表面的弱峰或寬單峰。

9、如權利要求1所述的碳納米管混合體系，其中當使用電子顯微鏡分析時，該碳化物衍生碳的電子衍射圖案是非晶碳的暈環圖案。

10、如權利要求1所述的碳納米管混合體系，其中該碳化物化合物包括選自由SiC₄、B₄C、TiC、碳化鋯、Al₄C₃、CaC₂、碳化鈦鉭、碳化鉬鎢、碳氮化鈦和碳氮化鋯組成的組中的至少一種碳化物化合物。

11、如權利要求1所述的碳納米管混合體系，其中除碳之外的該碳化物衍生碳的所有元素被提取。

12、如權利要求1所述的碳納米管混合體系，其中支撐在該碳化物衍生碳上的該金屬從該碳化物化合物衍生且沒有通過該含鹵族氣體從該碳化物化合物中提取。

13、如權利要求1所述的碳納米管混合體系，其中該碳化物衍生碳包括孔，且該碳納米管從該碳化物衍生碳的該孔生長。

14、如權利要求13所述的碳納米管混合體系，其中該碳化物衍生碳還包括表面，且該碳納米管從該碳化物衍生碳的該表面生長。

15、一種制備碳納米管混合體系的方法，該方法包括：

通過使碳化物化合物與含鹵族氣體反應提取除碳之外的該碳化物化合物的所有元素；

將該碳化物衍生碳與含催化劑金屬化合物混合并進行氫還原反應以將催化劑金屬從該含催化劑金屬化合物轉移到該碳化物衍生碳；以及

使制備的碳化物衍生碳與碳源反應以從該制備的碳化物衍生碳生長碳納米管。

16、一種制備碳納米管混合體系的方法，該方法包括：

通過使碳化物化合物與含鹵族氣體反應提取除碳之外的該碳化物化合物的元素；以及

使該碳化物衍生碳和碳源反應以從制備的碳化物衍生碳生長碳納米管。

17、如權利要求16所述的方法，其中在提取該碳化物化合物的元素之后金屬保留在該碳化物衍生碳中。

18、如權利要求17所述的方法，其中基于該金屬和該碳化物衍生碳的總量是100重量份，該金屬保持在0.1至20重量份的范圍內。

19、一種電子發射器，包括：

根據權利要求1的碳納米管混合體系。

20、一種電子發射裝置，包括：

根據權利要求19的電子發射器。