[發明專利]功率半導體器件

在審

• 申請號: 202110704897.6
• 申請日: 2021-06-24
• 公開（公告）號: CN113410208A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 陳超;張海泉;麻長勝;王曉寶;趙善麒
• 申請（專利權）人: 江蘇宏微科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L25/07
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 陳紅橋

本發明提供了一種功率半導體器件，包括：上橋臂單元包括第一功率金屬箔片、第二功率金屬箔片和第三功率金屬箔片，其中，第三功率金屬箔片上設置有對稱分布的第一突出結構和第二突出結構，其上規律并且對稱地排布有數量相同的第一功率半導體芯片，第一功率金屬箔片與第三功率金屬箔片相連，并且第二功率金屬箔片與第三功率金屬箔片相連；下橋臂單元包括第四功率金屬箔片，在遠離第三功率金屬箔片的方向延伸設置有第三突出結構和第四突出結構，并且在靠近第一功率半導體芯片的位置設置有源極連接區域，其中，第三突出結構和第四突出結構上規律并且對稱地排布有數量相同的第二功率半導體芯片。由此，能夠有效地降低功率半導體器件內部的雜散電感。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種功率半導體器件。

背景技術

相關技術中，功率板導體器件無法有效地降低其內部的雜散電感，因此，在關斷時，其電壓尖峰很容易超過額定電壓，從而導致擊穿，可靠性和安全性較低。

發明內容

本發明為解決上述技術問題，提供了一種功率半導體器件，能夠有效地降低功率半導體器件內部的雜散電感，從而大大提高了功率半導體器件的可靠性和安全性。

本發明采用的技術方案如下：

一種功率半導體器件，包括：覆金屬絕緣陶瓷襯底以及對稱設置在所述覆金屬絕緣陶瓷襯底上的上橋臂單元和下橋臂單元，其中，所述上橋臂單元包括第一功率金屬箔片、第二功率金屬箔片和第三功率金屬箔片，其中，所述第三功率金屬箔片上設置有對稱分布的第一突出結構和第二突出結構，并且在遠離所述第一突出結構和所述第二突出結構的另一側還設置有第一漏極連接區域和第二漏極連接區域，其中，所述第一突出結構和所述第二突出結構上規律并且對稱地排布有數量相同的第一功率半導體芯片，所述第一功率金屬箔片在所述第一漏極連接區域通過第一金屬線與所述第三功率金屬箔片相連，并且所述第二功率金屬箔片在所述第二漏極連接區域通過第二金屬線與所述第三功率金屬箔片相連，以進行功率傳輸；所述下橋臂單元包括第四功率金屬箔片，所述第四功率金屬箔片圍繞在所述第三功率金屬箔片周圍，所述第四功率金屬箔片在遠離所述第三功率金屬箔片的方向延伸設置有第三突出結構和第四突出結構，并且在靠近所述第一功率半導體芯片的位置設置有源極連接區域，其中，所述第三突出結構和所述第四突出結構上規律并且對稱地排布有數量相同的第二功率半導體芯片，所述第四功率金屬箔片在所述源極連接區域通過第三金屬線與所述第一功率半導體芯片的源極相連，以進行功率傳輸；其中，將所述第一功率金屬箔片、第二功率金屬箔片和所述第三功率金屬箔片互連的金屬線上的回路與所述第四功率金屬箔片上的電流回路形成交叉，使得內部磁場相互抵消。

所述上橋臂單元還包括第一漏極功率端子和第二漏極功率端子，其中，所述第一功率金屬箔片和所述第二功率金屬箔片對稱設置在所述覆金屬絕緣陶瓷襯底的兩側，所述第一功率金屬箔片和所述第二功率金屬箔片在靠近所述覆金屬絕緣陶瓷襯底窄邊的一側設置有所述第一漏極功率端子和所述第二漏極功率端子的超聲焊接區域，并且在靠近所述覆金屬絕緣陶瓷襯底長邊的一側的中心位置設置有第一金屬線超聲焊接區域。

所述上橋臂單元還包括第一漏極信號端子和第二漏極信號端子，其中，所述第二功率金屬箔片在靠近所述覆金屬絕緣陶瓷襯底窄邊的兩側設置有所述第一漏極信號端子和所述第二漏極信號端子的超聲焊接區域。