[發明專利]一種高電導率Si/C納米膜的制備方法及應用有效
| 申請號： | 202110703747.3 | 申請日： | 2021-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN113471399B | 公開（公告）日： | 2022-11-01 |
| 發明（設計）人： | 余佳閣 | 申請（專利權）人： | 湖北工程學院 |
| 主分類號： | H01M4/04 | 分類號： | H01M4/04;H01M10/0525;C23C14/35;D01D5/00 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 蘭嵐 |
| 地址： | 432000 *** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電導率 si 納米 制備 方法 應用 | ||
1.一種高電導率Si/C納米膜的制備方法，包括以下步驟：
S1、將碳源和硅源按8：1的質量比溶解于溶劑中，經攪拌得到預溶液；
S2、將所述預溶液進行靜電紡絲，獲得預產物；
S3、將所述預產物依次經過干燥、固化和煅燒操作，得到Si/C納米膜；
S4、將步驟S3所制得的Si/C納米膜真空鍍膜，鍍一層導電層，即得到高電導率Si/C納米膜；
所述碳源為聚丙烯腈、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇中的一種；
所述硅源為粒徑20～50nm的納米硅粉；
在步驟S3中，固化溫度為280℃，固化時間為2h；煅燒溫度為600～1000℃，煅燒時間為1～3h，升溫速率為1～5℃/min；
在步驟S4中，采用磁控濺射法為步驟S3所制得的Si/C納米膜表面真空鍍膜，真空度設置為3×10-3～6×10-3Pa，導電靶材為銅、銀、金中的一種；所述導電層的厚度為50～500nm；
所述高電導率Si/C納米膜用于鋰離子電池負極材料的制備。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述碳源為聚丙烯腈，所述溶劑為氮氮二甲基甲酰胺。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述碳源為聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇，所述溶劑為純水。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟S1中，攪拌溫度為25℃，攪拌時間為10h。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟S2中，靜電紡絲的參數為：噴注速度1～1.5mL/h，高壓15～22KV，負壓-2.3KV。
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