[發明專利]氧化膜生成方法在審
| 申請號： | 202110703379.2 | 申請日： | 2021-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN113436961A | 公開（公告）日： | 2021-09-24 |
| 發明（設計）人： | 張翔;代斌洲 | 申請（專利權）人： | 西安奕斯偉硅片技術有限公司;西安奕斯偉材料技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;張博 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 生成 方法 | ||
1.一種氧化膜生成方法，其特征在于，包括：
放置步驟，將硅片置于成膜腔體內；
升溫恒溫步驟，向所述成膜腔體內通入氧氣，控制所述成膜腔體進入升溫階段預設時間，之后保持在恒溫階段預設時間；
重復執行至少兩次所述升溫恒溫步驟，直至達到目標溫度；
降溫步驟，停止向所述成膜腔體內通入氧氣，控制所述成膜腔體進入降溫階段。
2.根據權利要求1所述的氧化膜生成方法，其特征在于，重復執行至少兩次所述升溫恒溫步驟包括：
控制所述成膜腔體進入第一升溫階段，升溫至700～800℃，升溫速率為40-70℃/min；
控制所述成膜腔體進入第一恒溫階段，溫度保持不變；
控制所述成膜腔體進入第二升溫階段，升溫速率為20-40℃/min，升溫至850-1000℃；
控制所述成膜腔體進入第二恒溫階段，溫度保持不變。
3.根據權利要求1所述的氧化膜生成方法，其特征在于，將硅片置于成膜腔體之前，所述方法還包括：
利用純度不小于99.999％的氮氣對所述成膜腔體進行吹掃。
4.根據權利要求3所述的氧化膜生成方法，其特征在于，氮氣流量為5-10L/min，吹掃時間為2-10min。
5.根據權利要求2所述的氧化膜生成方法，其特征在于，所述第一恒溫階段的時長為1-5min。
6.根據權利要求2所述的氧化膜生成方法，其特征在于，所述第二恒溫階段的時長為3-10min。
7.根據權利要求2所述的氧化膜生成方法，其特征在于，所述第二恒溫階段中，氧氣流量為20-40L/min。
8.根據權利要求2所述的氧化膜生成方法，其特征在于，所述第一升溫階段、所述第一恒溫階段、所述第二升溫階段、所述第二恒溫階段中，向所述成膜腔體內通入氮氣，氮氣流量為5-10L/min。
9.根據權利要求1所述的氧化膜生成方法，其特征在于，所述降溫階段中，向所述成膜腔體內通入氮氣，氮氣流量為20-40L/min。
10.根據權利要求1所述的氧化膜生成方法，其特征在于，所述降溫階段中，降溫速率為40-80℃/min。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
