[發明專利]一種折射率可調的AlN薄膜的制備設備及方法在審

申請號：	202110702031.1	申請日：	2021-06-24
公開（公告）號：	CN113337795A	公開（公告）日：	2021-09-03
發明（設計）人：	唐云俊;王昱翔;周虹玲;周東修	申請（專利權）人：	浙江艾微普科技有限公司
主分類號：	C23C14/06	分類號：	C23C14/06;C23C14/35;C23C14/54
代理公司：	嘉興啟帆專利代理事務所(普通合伙) 33253	代理人：	王大國
地址：	314400 浙江省嘉興市***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種折射率可調 aln 薄膜制備設備方法
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【權利要求書】：

1.一種折射率可調的AlN薄膜的制備設備，其特征在于：包括包括工藝腔體，所述工藝腔體內設置有靶材和基片臺，所述基片臺通過導線連接匹配網絡，所述匹配網絡通過導線連接射頻電源，所述工藝腔體上設置有工藝氣體進口和真空吸口，真空吸口連接有真空泵，工藝氣體進口連接有氮氣管道和氬氣管道，在所述氮氣管道和氬氣管道上述設置有氣體流量計。

2.根據權利要求1所述的折射率可調的AlN薄膜的制備設備，其特征在于：所述工藝腔體上設置有背板，靶材連接于背板上，背板內設置有冷卻管道。

3.根據權利要求2所述的折射率可調的AlN薄膜的制備設備，其特征在于：所述靶材通過背板與靶材電源連接，靶材電源為直流電源、脈沖直流電源、射頻電源或HIPIMS電源。

4.根據權利要求3所述的折射率可調的AlN薄膜的制備設備，其特征在于：所述背板后方設置有磁控管。

5.根據權利要求4所述的折射率可調的AlN薄膜的制備設備，其特征在于：還包括輸運腔體和上載腔體，所述輸運腔體內設置有機械手，所述上載腔體與輸運腔體之間設置有第一真空閥門，輸運腔體與工藝腔體之間設置有第二真空閥門，上載腔體上設置有密封門。

6.一種折射率可調的AlN薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下工藝步驟：

S1：編制遲滯回線菜單：確定靶材電源的功率、工藝氣體壓力、氬氣的流量、氮氣流量的變化、工藝時間、射頻電源偏壓功率或電壓；

S2：上載基片，運行上述遲滯回線菜單；

S3：下載基片，繪制遲滯回線菜單；

S4：依據遲滯回線，確定反應濺射氮化鋁的氮氣流量，以使該反應濺射過程在“中毒模式”之中，并以此氮氣流量，編制工藝菜單；

S5：上載基片，運行工藝菜單；

S6：下載基片，測量此氮氣流量下濺射獲得的氮化鋁薄膜的光學參數；

S7：根據光學參數是否達標選擇是否調整工藝參數，若光學參數未達標，進入步驟S8；若光學參數達標，則滿足要求，結束。