[發明專利]一種無襯底超薄鎳-63放射源的制備方法有效
| 申請號： | 202110700586.2 | 申請日： | 2021-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN113436775B | 公開（公告）日： | 2022-11-08 |
| 發明（設計）人： | 蘇冬萍;梁幫宏;羅婷;張勁松;甘泉;李順濤;陳云明;王國華;姚亮;周春林 | 申請（專利權）人： | 中國核動力研究設計院 |
| 主分類號： | G21G4/04 | 分類號： | G21G4/04;G21G4/06 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 唐邦英 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 襯底 超薄 63 放射源 制備 方法 | ||
1.一種無襯底超薄鎳-63放射源的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、將電沉積液中的鎳金屬離子沉積在銅襯底的一側形成鎳層；所述電沉積液的配方為：
鎳0.1 g/L~0.8g/L，硫酸0.5 g/L ~3.5 g/L，氨基磺酸0.02 g/L～0.1 g/L，硼酸20 g/L～60 g/L；
S2、在鎳層上覆一層有機膜，制備有機膜采用的膜溶液配方為：成膜劑為聚甲基丙烯酸甲酯，溶劑為苯甲醚，且成膜劑的含量為10 g/L ~100 g/L；
S3、將步驟S2制備的鎳-63放射源浸沒在襯底去除溶液中去除銅襯底，襯底去除溶液的配方為：襯底去除劑為氯化鐵、過硫酸銨或過硫酸鉀，溶劑為水，且襯底去除溶液中襯底去除劑的含量為10 g/L～100 g/L；
S4、去除步驟S3制備的無襯底鎳-63放射源上的有機膜，獲得無襯底超薄鎳-63放射源。
2.根據權利要求1所述的一種無襯底超薄鎳-63放射源的制備方法，其特征在于，步驟S1中， 所述電沉積液的pH值調節至3.5~5.5。
3.根據權利要求1所述的一種無襯底超薄鎳-63放射源的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述銅襯底的厚度為10 μm～50 μm，用乙醇浸泡10 min~60 min，用去離子水清洗干凈，自然晾干。
4.根據權利要求1所述的一種無襯底超薄鎳-63放射源的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述沉積采用電沉積制源，具體過程如下：
將銅襯底固定在電沉積槽底部，向電沉積槽內加入電沉積液進行電沉積，電沉積的電流密度為1.5 A/dm2～8.0 A/dm2，鉑電極轉速為50 r/min～120 r/min，電沉積時間為40min～100 min。
5.根據權利要求1所述的一種無襯底超薄鎳-63放射源的制備方法，其特征在于，步驟S2中，覆膜的具體過程如下：
在鎳層上滴加膜溶液，滴加量為0.1 mL/cm2~0.5 mL/cm2，然后采用勻膠機對膜溶液進行旋涂，最后進行烘干處理形成有機膜，烘干溫度為130 ℃～220 ℃，烘干時間為0.5 h～2h。
6.根據權利要求5所述的一種無襯底超薄鎳-63放射源的制備方法，其特征在于，所述膜溶液為將成膜劑溶解在溶劑中獲得。
7.根據權利要求5所述的一種無襯底超薄鎳-63放射源的制備方法，其特征在于，旋涂過程為：
先設置轉速為100 r/min～400 r/min，勻膠時間為10 s~20 s；再設置轉速為1000 r/min～5000 r/min，勻膠時間為30 s~120 s。
8.根據權利要求1所述的一種無襯底超薄鎳-63放射源的制備方法，其特征在于，步驟S3中，所述襯底去除溶液為襯底去除劑溶解于水中獲得。
9.根據權利要求1所述的一種無襯底超薄鎳-63放射源的制備方法，其特征在于，步驟S3中，浸沒時間為10 min～60 min。
10.根據權利要求1所述的一種無襯底超薄鎳-63放射源的制備方法，其特征在于，步驟S4中，去除有機膜的具體過程如下：
用丙酮溶液潤濕脫脂棉擦拭有機膜，然后采用干燥脫脂棉將溶液吸干，重復上述擦拭、吸干，直到有機膜完全去除。
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