[發明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202110698190.9 | 申請日: | 2021-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN113437124A | 公開(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發明(設計)人: | 趙成雨;王守坤;秦韶陽;孫增標 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 230000 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種顯示面板及顯示裝置,顯示面板包括層疊設置的襯底、陣列層和發光器件層,襯底包括沿顯示面板的膜層堆疊方向層疊設置的第一襯底、復合無機層以及第二襯底,在透光區設有貫穿陣列層、發光器件層并延伸至第二襯底的開孔,發光器件層包括有機發光層,有機發光層包括設于顯示區的主體部以及落入開孔內的延伸部。即開孔內的有機發光層中的延伸部將與第二襯底相接觸,為避免水氧通過與第二襯底相接觸的延伸部傳遞至顯示區,造成顯示面板內膜層變質,顯示器件失效。對此,復合無機層包括至少一層水氧阻隔層,其能夠避免水氧從透光區侵入第二襯底,從而提高顯示面板阻隔水氧的能力,保證了顯示面板的封裝效果。
技術領域
本發明屬于電子產品技術領域,尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術
隨著使用者需求的逐步升級,智能顯示設備朝著全面屏的方向快速發展,與普通的顯示屏相比,全面屏具有較大的屏占比、超窄的邊框,可以顯著提高顯示效果,而受到人們的廣泛關注。目前,顯示面板通常都會在顯示區域內設置前置攝像頭等器件,為了實現全面屏,顯示面板上往往需要開設通孔或盲孔等透光區來實現攝像頭等設備的設置,但是受到現有顯示面板透光區的結構限制,水氧易侵入透光區,造成顯示面板內器件失效。
因此,亟需一種新的顯示面板及顯示裝置。
發明內容
本發明實施例提供了一種顯示面板及顯示裝置,通過在襯底內設置至少一層水氧阻隔層,從而阻擋了水氧從透光區侵入,保證顯示面板的封裝效果。
本發明實施例一方面提供了一種顯示面板,具有透光區和顯示區,所述顯示區至少圍繞部分所述透光區設置,包括:襯底,所述襯底包括沿所述顯示面板的膜層堆疊方向層疊設置的第一襯底、復合無機層以及第二襯底,所述復合無機層包括至少一層水氧阻隔層;陣列層,設于所述襯底的一側;發光器件層,設于所述陣列層背離所述襯底的一側,在所述透光區設有貫穿所述陣列層、所述發光器件層并延伸至所述第二襯底的開孔,所述發光器件層包括有機發光層,所述有機發光層包括設于顯示區的主體部以及落入所述開孔內的延伸部。
根據本發明的一個方面,所述復合無機層包括沿所述顯示面板的膜層堆疊方向層疊設置的第一無機層和水氧阻隔層,所述水氧阻隔層和所述第二襯底相接觸。
根據本發明的一個方面,所述復合無機層包括沿所述顯示面板的膜層堆疊方向層疊設置的第一無機層、水氧阻隔層以及第二無機層,所述第一無機層和所述第二無機層的材料相同。
根據本發明的一個方面,所述第一無機層和所述第二無機層為氧化硅,所述水氧阻隔層為氮化硅、氮氧化硅中的至少一者。
根據本發明的一個方面,還包括封裝層,所述封裝層設于所述發光器件層背離所述襯底一側并覆蓋于所述開孔內的所述延伸部背離所述襯底的一側表面。
根據本發明的一個方面,還包括至少圍繞部分所述顯示區設置的邊框區,在所述邊框區設置有所述襯底和所述陣列層,且在所述邊框區設置有開設于所述陣列層、所述第二襯底以及所述復合無機層中的所述第二無機層的開槽,所述封裝層填充于所述開槽,且所述封裝層和所述復合無機層的所述水氧阻隔層相接觸。
根據本發明的一個方面,還包括至少圍繞部分所述顯示區設置的邊框區,在所述邊框區設置有所述襯底和所述陣列層,所述封裝層通過設于所述襯底和所述陣列層的過孔和所述復合無機層的所述水氧阻隔層相接觸。
根據本發明的一個方面,所述封裝層包括第一封裝無機層、第一封裝有機層以及第二封裝無機層,所述第一封裝無機層或所述第二封裝無機層和所述復合無機層的所述水氧阻隔層相接觸。
根據本發明的一個方面,所述第一封裝無機層和/或所述第二封裝無機層與所述水氧阻隔層所采用的材料相同。
本發明實施例另一方面提供了一種顯示裝置,包括上述實施例中的顯示面板。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





