[發明專利]晶片級無源器件的集成

在審

• 申請號: 202110695084.5
• 申請日: 2015-08-04
• 公開（公告）號: CN113421873A
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 翟軍
• 申請（專利權）人: 蘋果公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L25/065;H01L25/16;H01L23/64;H01L23/488;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/50
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 馮薇

1.一種半導體器件，包括：

集成電路，包括有源表面，其中所述集成電路包括功耗型半導體器件；

第一半導體基板，具有上表面，所述第一半導體基板利用所述第一半導體基板的所述上表面上的第一金屬覆膜直接附接到所述集成電路的所述有源表面，其中所述第一半導體基板包括在所述第一半導體基板中的第一類型無源器件和穿過所述第一半導體基板的第一組互連器，所述第一類型無源器件中的至少一些位于所述第一半導體基板的所述上表面處，并且直接附接到所述第一半導體基板的所述上表面上的所述第一金屬覆膜中的至少一些；和

第二半導體基板，所述第二半導體基板利用第二金屬覆膜耦合到所述第一半導體基板，其中所述第二半導體基板包括在所述第二半導體基板中的第二類型無源器件和穿過所述第二半導體基板的第二組互連器；

其中第一類型無源器件和第二類型無源器件是不同類型的無源器件，第一類型無源器件包括電感器，且第二類型無源器件包括電容器。

2.根據權利要求1所述的器件，還包括填充圍繞所述第一金屬覆膜并位于所述第一半導體基板和所述集成電路之間的空間的電絕緣材料。

3.根據權利要求2所述的器件，其中所述電絕緣材料包括填充圍繞所述第一金屬覆膜并位于所述第一半導體基板和所述集成電路之間的空間的單個電絕緣材料層。

4.根據權利要求1所述的器件，還包括填充圍繞所述第二金屬覆膜并位于所述第二半導體基板和所述第一半導體基板之間的空間的電絕緣材料。

5.根據權利要求1所述的器件，其中所述有源表面包括到所述集成電路中的有源電路的端子，所述器件還包括一個或多個柱，所述一個或多個柱耦合到在所述第一半導體基板和所述第二半導體基板的周邊上所述集成電路的所述有源表面，其中所述柱提供用于所述集成電路的輸入/輸出端子，并且其中所述有源表面上的端子包括所述輸入/輸出端子和用于使用第一類型無源器件和/或第二類型無源器件的到所述集成電路的電壓調節連接的端子。

6.根據權利要求1所述的器件，其中所述第一半導體基板包括位于耦合到所述第二半導體基板的所述第一半導體基板的表面處的重新分布層，并且其中所述重新分布層將位于所述重新分布層的第一側上的連接部重新分布到位于所述重新分布層的第二側上的水平移位的連接部。

7.根據權利要求1所述的器件，其中所述第一組互連器中的至少一些將所述第一金屬覆膜互連到所述第二金屬覆膜。

8.根據權利要求1所述的器件，其中所述第一半導體基板和所述第二半導體基板具有與所述集成電路的寬度基本上相同的寬度。

9.根據權利要求1所述的器件，其中所述第二半導體基板利用所述第二半導體基板的上表面上的所述第二金屬覆膜耦合到所述第一半導體基板，所述器件還包括耦合到所述第二半導體基板的下表面的第三金屬覆膜，其中所述第三金屬覆膜利用所述第一組互連器中的至少一個互連器和所述第二組互連器中的至少一個互連器耦合到所述集成電路。