[發明專利]陣列基板、顯示面板、顯示裝置及陣列基板的制備方法在審
| 申請號: | 202110694634.1 | 申請日: | 2021-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN113419387A | 公開(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發明(設計)人: | 薛興皓;鄭浩旋 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 郭鴻 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖街道石龍社區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 顯示裝置 制備 方法 | ||
本申請適用于顯示裝置技術領域,提供了一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置及陣列基板的制備方法,所述顯示面板包括:第一基板,第一基板的第一側面向彩膜基板,彩膜基板設置有多個色阻塊,第一側面對應各色阻塊分別設置有色阻對應區,陣列基板還包括設置于第一側面的第一透明填充結構,第一透明填充結構設置于至少一種顏色的色阻塊對應的色阻對應區,與色阻對應區對應的色阻塊的顏色相同的光的波長為λ,第一側面與色阻塊之間的距離為d,d隨λ的增大而增大,第一透明填充結構的厚度為h3,色阻塊的厚度為h1,且滿足h1+h3+d=L,不同顏色的色阻塊的L值相等。所述陣列基板可在不改變開口率和NTSC的同時提高透過率。
技術領域
本申請涉及顯示裝置技術領域,更具體地說,是涉及一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置及陣列基板的制備方法。
背景技術
目前,在顯示裝置中,薄膜集體管液晶顯示器(Thin film transistor liquidcrystal display,常簡稱為TFT-LCD)為較為常見的顯示器類型,平面轉換模式液晶顯示器(In-Plane Switching liquid crystal display,簡稱IPS-LCD)屬于TFT-LCD的一種。IPS-LCD采用水平轉換技術,在處理連續性的動態畫面時,水平轉換的一大優勢是加快了液晶分子的偏轉速度。體現在IPS硬屏其響應速度快的優勢,使圖像的運動軌跡更加細膩清晰。
由于IPS-LCD存在穿透率較低的問題,因此需要搭配高亮度的背光以達到客戶的規格,這就提高了功耗。為解決上述問題,現有技術中通常采用的方式為減少彩膜中色阻塊的膜厚或增大開口率。但是減少膜厚會使得NTSC(National Television StandardsCommittee,國家電視標準委員會)色域降低,而增大開口率需要減少黑矩陣的線寬,若黑矩陣(Black Matrix,簡稱BM)的線寬較小,則為生產制造帶來了困難,使得現有技術中的生產制造水平難以實現。
綜上,IPS-LCD仍然存在穿透率較低的問題。
發明內容
本申請實施例的目的在于提供一種陣列基板,旨在解決現有技術中TFT-LCD的穿透率較低的技術問題。
為實現上述目的,本申請采用的技術方案是:提供一種陣列基板包括:第一基板,所述第一基板的第一側面面向彩膜基板,所述彩膜基板設置有多個色阻塊,所述第一側面對應各所述色阻塊分別設置有色阻對應區,所述陣列基板還包括設置于所述第一側面的第一透明填充結構,所述第一透明填充結構設置于至少一種顏色的色阻塊對應的所述色阻對應區,與所述色阻對應區對應的所述色阻塊的顏色相同的光的波長為λ,所述陣列基板與所述色阻塊之間的距離為d,d隨λ的增大而增大,所述第一透明填充結構的厚度為h3,所述色阻塊的厚度為h1,且滿足h1+h3+d=L,h1>0,h3≥0,不同顏色的所述色阻塊的L值相等。
進一步地,所述d的取值根據公式Δnd=λ/2得出,Δn是液晶折射率參數。
進一步地,除了與所述λ的數值最大的一種顏色的所述色阻塊對應的色阻對應區外,與其他顏色的所述色阻塊相對的色阻對應區均對應設置有所述第一透明填充結構。
進一步地,所述第一透明填充結構為透明層,所述透明層設置有通孔和凹槽;所述透明層的通孔與所述λ的數值最大的一種顏色的所述色阻塊對應的色阻對應區相對,所述透明層的凹槽與除所述λ的數值最小和所述λ的數值最大的兩種顏色之外的其他種顏色的所述色阻塊對應的色阻對應區相對。
進一步地,所述色阻對應區包括與紅色色阻塊對應的紅色對應區、與綠色色阻塊對應的綠色對應區、以及與藍色色阻塊對應的藍色對應區,所述透明層的通孔與所述紅色對應區相對設置,所述凹槽與所述綠色對應區相對設置。
進一步地,所述第一透明填充結構包括凸塊,所述凸塊在第一側面上的投影完全覆蓋與其對應的所述色阻塊。
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