[發(fā)明專利]一種控制LDO壓降狀態(tài)靜態(tài)功耗的電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110689324.0
• 申請(qǐng)日: 2021-06-22
• 公開（公告）號(hào): CN113253792B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁敏;楊琨;黃樺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京微盟電子有限公司
• 主分類號(hào): G05F3/26
• 分類號(hào): G05F3/26
• 代理公司: 杭州山泰專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33438
• 代理人: 周玲

1.一種控制LDO壓降狀態(tài)靜態(tài)功耗的電路，包括電源VDD，偏置電流源I，運(yùn)算放大器EA、基準(zhǔn)電壓VREF，輸出電壓VOUT，反饋電壓FB，信號(hào)線OP、供電信號(hào)VIN，接地信號(hào)GND，N型MOS管M1，P型MOS管M2、M3、M4，P型功率管Power，電阻R1、R2、R3、R4，其特征在于：

VOUT與GND之間接入的二極管連接的P型MOS管M4，且M4與偏置電流源I形成偏置電流信號(hào)線SP；

電源VDD的正端接VIN，負(fù)端接GND，GND接大地；

運(yùn)算放大器EA的正端接基準(zhǔn)電壓VREF，負(fù)端接VOUT的反饋端FB，輸出端接N型MOS管M1的柵極，VIN給EA供電；

運(yùn)算放大器第二級(jí)為M1形成的共源極放大，M1的源極和襯底接GND，M1的漏極接信號(hào)線OP；

P型MOS管M2的柵極和漏極短接至OP，P型功率管Power的柵極、電阻R4的一端接OP，M2的襯底和R4的另一端接VIN；

M2的源極接電阻R3的一端，R3的另一端接P型MOS管M3的漏極；

M3的源極接VIN，柵極接SP，SP同時(shí)與P型MOS管M4的柵極和漏極相接，偏置電流源I的正端接SP，負(fù)端接GND；

P型功率管Power的源極和襯底接VIN，漏極接VOUT，且與M4的源極相接；

電阻R2的一端接VOUT，另一端接電阻R1的一端，并連接到FB，R1的另一端接GND。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種控制LDO壓降狀態(tài)靜態(tài)功耗的電路，其特征在于：偏置電流源I為nA級(jí)別。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種控制LDO壓降狀態(tài)靜態(tài)功耗的電路，其特征在于：M4的源極接VOUT，且柵極和漏極短接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種控制LDO壓降狀態(tài)靜態(tài)功耗的電路，其特征在于：M3的源極的位置在運(yùn)算放大器的第二級(jí)，且與運(yùn)算放大器的第二級(jí)串聯(lián)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種控制LDO壓降狀態(tài)靜態(tài)功耗的電路，其特征在于：M3和M4的襯底均接VIN，M3的柵極、M4的柵極和漏極均接SP，M3和M4的寬長(zhǎng)比相同，個(gè)數(shù)比為n:1，用于實(shí)現(xiàn)在LDO的壓降狀態(tài)中，偏置電流源I的電流鏡像。