[發明專利]基板處理裝置在審
| 申請號: | 202110688204.9 | 申請日: | 2021-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN114093788A | 公開(公告)日: | 2022-02-25 |
| 發明(設計)人: | 樸芝鎬;孔云 | 申請(專利權)人: | 杰宜斯科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B08B3/02;B08B13/00 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 梁小龍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
本發明涉及一種基板處理裝置,包括:旋轉卡盤,以能夠旋轉的方式設置于杯形殼體的內部,并用于搭載基板;噴嘴操作臺部,以能夠旋轉的方式設置于旋轉卡盤的內部;引導部,設置于噴嘴操作臺部的內部;移動模塊,以能夠移動的方式設置于引導部;引導臂部,與移動模塊連接,并支承流體供給管線部;下部噴嘴部,以與移動模塊一同移動的方式與引導臂部結合,并與流體供給管線部連接;驅動軸部,與旋轉卡盤和噴嘴操作臺部連接,以使旋轉卡盤和噴嘴操作臺部進行旋轉;移動軸部,以能夠旋轉的方式設置于驅動軸部的內部,并與移動模塊連接,以使移動模塊進行移動;以及驅動部,與驅動軸部和移動軸部連接,以使驅動軸部和移動軸部驅動。
技術領域
本發明涉及基板處理裝置,更詳細地,涉及可同時處理基板的兩側面并防止藥液殘留在噴嘴操作臺部的內部的基板處理裝置。
背景技術
通常,在半導體裝置中,在作為半導體基板使用的硅晶圓上形成規定的薄膜。隨著硅晶圓經過如化學氣相蒸鍍、濺射、光刻、蝕刻、離子注入、化學機械拋光等的單位工序,在硅晶圓形成薄膜圖案。
為了制造半導體器件而在半導體晶圓上形成多個薄膜。通常采用蝕刻工序來形成多個薄膜。在蝕刻工序中,在半導體晶圓的背面(backside)附著有異物質,因此,為了在半導體晶圓中去除異物質而執行清洗工序和干燥工序等。
但是,以往,在半導體裝置的處理液殘留在下部噴嘴部及噴嘴驅動模塊的情況下,在清洗工序中,因處理液的揮發性而有可能產生煙霧,或者在干燥工序中有可能發生殘留物質的回彈現象。因此,有可能產生清洗噴霧或者發生基板不良現象。因此,需要對其進行改善。
本發明的背景技術公開在韓國公開專利公報第2017-0108158號(2017年09月26日公開,發明的名稱:具有卡盤組裝體維護模塊的晶圓處理系統)中。
發明內容
要解決的技術問題
本發明的目的在于,提供可同時處理基板的兩側面并可防止藥液殘留在噴嘴操作臺部的內部的基板處理裝置。
解決技術問題的手段
本發明的基板處理裝置的特征在于,包括:旋轉卡盤,以能夠旋轉的方式設置于杯形殼體的內部,并用于搭載基板;噴嘴操作臺部,以能夠旋轉的方式設置于所述旋轉卡盤的內部;引導部,設置于所述噴嘴操作臺部的內部;移動模塊,以能夠移動的方式設置于所述引導部;引導臂部,與所述移動模塊連接,并且支承流體供給管線部;下部噴嘴部,以與所述移動模塊一同移動的方式與所述引導臂部結合,并且所述下部噴嘴部與所述流體供給管線部連接;驅動軸部,與所述旋轉卡盤和所述噴嘴操作臺部連接,以使所述旋轉卡盤和所述噴嘴操作臺部進行旋轉;移動軸部,以能夠旋轉的方式設置于所述驅動軸部的內部,并且所述移動軸部與所述移動模塊連接,以使所述移動模塊進行移動;以及驅動部,與所述驅動軸部和所述移動軸部連接,以使所述驅動軸部和所述移動軸部驅動。
所述引導部可以包括以橫穿所述噴嘴操作臺部的內部的方式配置的導軌部。
所述移動模塊可以包括:滑動部,以能夠移動的方式與所述導軌部結合;以及齒桿,與所述滑動部連接并與所述引導臂部連接,所述齒桿被設置成與所述移動軸部嚙合。
所述移動軸部可以包括:移動軸主體部,以能夠旋轉的方式設置于所述驅動軸部的中心部,并與所述驅動部連接;以及小齒輪部,以與所述齒桿嚙合的方式與所述移動軸主體部連接。
所述下部噴嘴部可以包括:第一下部噴嘴,以與所述齒桿一同移動的方式設置于所述引導臂部,并與所述流體供給管線部連接;以及第二下部噴嘴,以與所述齒桿一同移動的方式設置于所述引導臂部,并與所述流體供給管線部連接。
所述驅動軸部可以包括:第一驅動軸,與所述旋轉卡盤和所述驅動部連接;以及第二驅動軸,以能夠旋轉的方式設置在所述第一驅動軸與所述移動軸部之間,并與所述噴嘴操作臺部和所述驅動部連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





