[發明專利]顯示面板及其驅動方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 202110687645.7 | 申請日: | 2021-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN113394237B | 公開(公告)日: | 2022-09-06 |
| 發明(設計)人: | 龐玉乾 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G09G3/20;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 驅動 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基底;
薄膜晶體管、掃描線和數據線,位于所述基底上;
其中,所述薄膜晶體管包括數據寫入晶體管、驅動晶體管和補償晶體管,所述數據寫入晶體管用于將所述數據線上的數據電壓寫入所述驅動晶體管的柵極,所述補償晶體管用于對所述驅動晶體管的閾值電壓進行補償;所述掃描線包括第一掃描線和第二掃描線,所述數據寫入晶體管的柵極連接所述第一掃描線,所述補償晶體管的柵極連接所述第二掃描線;
所述第一掃描線沿第一方向延伸,位于第一金屬層;所述第二掃描線包括沿所述第一方向設置的第一走線部和第二走線部,所述第一走線部和所述第二走線部電連接,所述第一走線部位于所述第一金屬層,所述第二走線部位于第二金屬層,所述薄膜晶體管的源/漏極位于所述第二金屬層;所述第二金屬層還包括轉接部,所述補償晶體管的有源層和所述驅動晶體管的有源層通過所述轉接部電連接。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述驅動晶體管的有源層位于所述第一掃描線的一側,所述補償晶體管的有源層和所述第二掃描線均位于所述第一掃描線的另一側。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述數據寫入晶體管連接在所述數據線和所述驅動晶體管之間,所述數據寫入晶體管連接所述驅動晶體管一側的有源層的寬度,大于所述數據寫入晶體管連接所述數據線一側的有源層的寬度。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,還包括存儲電容,所述存儲電容的第一極板位于所述第一金屬層,所述存儲電容的第二極板位于第三金屬層,所述第三金屬層位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間;
所述存儲電容的第二極板在所述基底上的垂直投影,覆蓋所述數據寫入晶體管連接所述驅動晶體管一側的有源層在所述基底上的垂直投影。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括電源線,所述電源線包括沿第二方向設置的第三走線部和第四走線部,所述第二方向與所述第一方向交叉,所述第三走線部和所述第四走線部電連接;
所述第三走線部位于所述第二金屬層,且所述第三走線部與所述第二掃描線的所述第二走線部分離設置;所述第四走線部位于第四金屬層,所述第四金屬層位于所述第二金屬層遠離所述基底的一側。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述數據線沿所述第二方向延伸,且所述數據線位于所述第四金屬層。
7.根據權利要求1-6中任一所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括i行像素電路和i級級聯連接的掃描電路;
第n級所述掃描電路的掃描信號輸出端連接第n行所述像素電路中的所述數據寫入晶體管連接的所述第一掃描線,第n+2(k-1)級所述掃描電路的掃描信號輸出端連接第n行所述像素電路中的所述補償晶體管連接的所述第二掃描線;其中,k為一幀內所述第一掃描線和所述第二掃描線上的掃描信號的脈沖數量,i、n和k均為整數,k>1且n+2(k-1)≤i。
8.根據權利要求1-6中任一所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括i行像素電路、i級級聯連接的第一掃描電路和i級級聯連接的第二掃描電路;
第n級所述第一掃描電路的掃描信號輸出端連接第n行所述像素電路中的所述數據寫入晶體管連接的所述第一掃描線,第n級所述第二掃描電路的掃描信號輸出端連接第n行所述像素電路中的所述補償晶體管連接的所述第二掃描線;其中,i和n均為整數,且n≤i。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





