[發明專利]一種高側NMOSFET驅動器芯片研發用晶圓打磨設備

有效

• 申請號: 202110685334.7
• 申請日: 2021-06-21
• 公開（公告）號: CN113263435B
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發明（設計）人: 楊躍瑾
• 申請（專利權）人: 深圳國融智能科技有限公司
• 主分類號: B24B37/00
• 分類號: B24B37/00;B24B37/11;B24B37/27;B24B37/34;B24B55/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種高側NMOSFET驅動器芯片研發用晶圓打磨設備，包括工作臺，工作臺端部中心處開設有矩形槽，工作臺側壁固定安裝有連接桿，連接桿端部固定安裝有第一電機，第一電機端部固定安裝有柱套，柱套遠離第一電機的一側固定安裝有液壓桿，液壓桿內部貫穿設備有調節柱，工作臺側壁開設有第一條形槽和第二條形槽，調節柱表面套設有調節機構，調節機構包括螺紋套，兩個螺紋套以調節柱中點為中心點對稱設置，且兩個螺紋套表面螺紋方向相反，螺紋套套設在調節柱表面，調節柱端部固定安裝有轉帽，液壓桿遠離柱套的那側固定安裝有轉盤，使得該設備在使用時可隨意調節打磨套的距離，適配任意大小的晶圓，適用范圍更廣。

技術領域

本申請涉及晶圓加工技術領域，尤其涉及一種高側NMOSFET驅動器芯片研發用晶圓打磨設備。

背景技術

晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅，高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅，硅晶棒在經過研磨，拋光切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓，目前國內晶圓生產線以8英寸和12英寸為主，晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時加工1片或多片晶圓，隨著半導體特征尺寸越來越小，加工及測量設備越來越先進，使得晶圓加工出現了新的數據特點，同時，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時，空氣中的顆粒數對晶圓加工后質量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數也出現了新的數據特點。

如中國專利公開了：晶圓打磨設備，公開號：CN111482865A，其是通過真空吸盤軸機構的第一軸體承載并驅動晶圓旋轉，壓緊機構的壓緊件抵接于晶圓以將其壓緊于第一軸體，定位機構的定位件可在壓緊機構執行壓緊操作之前對晶圓實施二次定位，確保晶圓和第一軸體的同心度，打磨機構的打磨機可沿第一軸體的軸向和徑向運動，這使得該晶圓打磨設備能夠沿第一軸體(晶圓)的軸向自上而下對晶圓的外圓周面進行打磨，避免砂輪與晶圓的待加工圓周面的接觸面積過大而導致晶圓崩邊、碎片現象，而輸送機構則是將晶圓在儲存單元和第一軸體之間轉移，實現晶圓的全自動存取、定位、壓緊、打磨加工，最大程度地減少人工介入，確保晶圓加工的穩定性，并提高晶圓的加工效率，但該設備在使用時局限性較大，只能針對同一大小的晶圓進行打磨處理，若是晶圓規格不一，則需要更換打磨設備，增加了打磨加工所需的時間。

發明內容

本發明的目的在于提供一種高側NMOSFET驅動器芯片研發用晶圓打磨設備，以解決上述背景技術中提出的問題。

本申請實施例采用下述技術方案：一種高側NMOSFET驅動器芯片研發用晶圓打磨設備，包括工作臺，所述工作臺端部中心處開設有矩形槽，所述工作臺側壁固定安裝有連接桿，所述連接桿端部固定安裝有第一電機，所述第一電機端部固定安裝有柱套，所述柱套遠離第一電機的一側固定安裝有液壓桿，所述液壓桿內部貫穿設備有調節柱，所述工作臺側壁開設有第一條形槽和第二條形槽，所述第二條形槽位于第一條形槽下端；

所述調節柱表面套設有調節機構。

所述調節機構包括螺紋套，所述螺紋套套設在調節柱表面，所述調節柱端部固定安裝有轉帽，所述液壓桿遠離柱套的那側固定安裝有轉盤，所述轉盤側壁混勻等距開設有卡槽，所述卡槽內部設置有固定柱，所述固定柱表面套設有打磨套，所述轉盤遠離液壓桿的那側固定安裝有擠壓柱，所述擠壓柱端部固定安裝有壓盤；

所述矩形槽內壁固定安裝有緊固機構。

所述緊固機構包括連接板，所述連接板固定安裝在矩形槽內部，所述連接板端部固定安裝有支撐柱，所述支撐柱端部固定安裝有限位盤，所述限位盤表面套設有放置板，所述放置板端部開設有圓槽，所述圓槽內壁開設有限位槽，所述支撐柱和限位盤分別活動內設在圓槽和限位槽內部；

所述第一條形槽內部設置有晃動機構。