[發明專利]一種晶圓背面平整度改善的方法在審
| 申請號： | 202110685158.7 | 申請日： | 2021-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN113506720A | 公開（公告）日： | 2021-10-15 |
| 發明（設計）人： | 陸尉;徐曉林;周維 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區自*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 背面 平整 改善 方法 | ||
1.一種晶圓背面平整度改善的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
步驟A、提供已制備完成第二側壁的晶圓，所述晶圓的背面的多晶硅柵極薄膜層外側生長有氮化硅薄膜層；
步驟B、在步驟A提供的所述晶圓的正面生長應力記憶氮化硅薄膜層；
步驟C、對經步驟B處理的所述晶圓進行第一次濕法刻蝕以去除所述應力記憶氮化硅薄膜層、所述氮化硅薄膜層；
步驟D、對經步驟C處理的所述晶圓的背面進行第二次濕法刻蝕以去除殘留的所述氮化硅薄膜層。
2.如權利要求1所述的晶圓背面平整度改善的方法，其特征在于，步驟A中的所述第二側壁包括側壁氮化硅層，所述側壁氮化硅層通過爐管工藝生長；
所述氮化硅薄膜層生長于爐管工藝過程中。
3.如權利要求2所述的晶圓背面平整度改善的方法，其特征在于，所述側壁氮化硅層的厚度為所述氮化硅薄膜層的厚度為
4.如權利要求1所述的晶圓背面平整度改善的方法，其特征在于，所述應力記憶氮化硅薄膜采用化學氣相沉積工藝制備。
5.如權利要求4所述的晶圓背面平整度改善的方法，其特征在于，所述應力記憶氮化硅薄膜的厚度為
6.如權利要求1所述的晶圓背面平整度改善的方法，其特征在于，所述第一次濕法刻蝕采用酸槽濕法刻蝕工藝。
7.如權利要求6所述的晶圓背面平整度改善的方法，其特征在于，所述酸槽濕法刻蝕工藝采用的刻蝕液為磷酸溶液，刻蝕時間為300s。
8.如權利要求1所述的晶圓背面平整度改善的方法，其特征在于，所述第二次濕法刻蝕采用晶背單片濕法刻蝕工藝。
9.如權利要求8所述的晶圓背面平整度改善的方法，其特征在于，所述晶背單片濕法刻蝕工藝采用的刻蝕液為氫氟酸，刻蝕時間為120s。
10.如權利要求1所述的晶圓背面平整度改善的方法，其特征在于，所述多晶硅柵極薄膜層的厚度為
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
