[發(fā)明專利]一種加熱控制單元及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110685128.6
• 申請日: 2021-06-21
• 公開（公告）號: CN113359904B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱孟常;張軍;王晶;鄭慶立;周杰;蔣波;辛華強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢光迅科技股份有限公司
• 主分類號: G05D23/24
• 分類號: G05D23/24
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 聶俊偉

1.一種加熱控制單元，其特征在于，包括：加熱控制開關(guān)電路和供電輸出電路；

所述加熱控制開關(guān)電路，包括第一負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻、運(yùn)算放大器和PMOS管；所述第一負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，根據(jù)溫度的變化改變阻值，以控制所述運(yùn)算放大器的輸出狀態(tài)；所述PMOS管根據(jù)所述運(yùn)算放大器的輸出狀態(tài)，輸出相應(yīng)的控制電平信號；

所述供電輸出電路，包括降壓式變換芯片和第二負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻；

所述控制電平信號輸入至所述降壓式變換芯片的使能輸入端；所述第二負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，根據(jù)溫度的變化改變阻值，以控制由所述降壓式變換芯片的電壓輸出端所輸出的供電電壓的大小；

所述供電輸出電路，還包括：第七電阻；所述第七電阻為可調(diào)電阻；

所述第七電阻的一端連接所述第二負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻的一端，并接入至所述降壓式變換芯片的反饋端；

所述第二負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻的另一端接入至所述降壓式變換芯片的電壓輸出端，所述降壓式變換芯片的電壓輸出端輸出所述供電電壓；

供電電源接入至所述降壓式變換芯片的電壓輸入端；

所述降壓式變換芯片的接地端接地；

所述加熱控制開關(guān)電路，還包括：第二電阻、第三電阻、第四電阻和第五電阻；

所述第二電阻的一端與所述第一負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻的一端均與所述運(yùn)算放大器的反相輸入端連接；

所述運(yùn)算放大器的同相輸入端連接所述第三電阻的一端、所述第四電阻的一端以及所述第五電阻的一端；

所述運(yùn)算放大器的輸出端連接所述第五電阻的另一端和所述PMOS管的柵極；

所述PMOS管的源級、所述運(yùn)算放大器的電源輸入端、所述第一負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻的另一端以及所述第四電阻的另一端，連接供電電源；

所述第二電阻的另一端、所述第三電阻的另一端、所述運(yùn)算放大器的接地端，均接地；

所述PMOS管的漏級輸出所述控制電平信號。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱控制單元，其特征在于，所述第五電阻為可調(diào)電阻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱控制單元，其特征在于，所述加熱控制開關(guān)電路，還包括：第六電阻；

所述第六電阻的一端連接所述PMOS管的漏級，所述第六電阻的另一端接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱控制單元，其特征在于，所述供電輸出電路，還包括：第一電容；

所述第一電容的一端接入至所述供電電壓，所述第一電容的另一端接地。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱控制單元，其特征在于，所述供電輸出電路，還包括：第二電容；

所述第二電容的一端接入至所述降壓式變換芯片的電壓輸出端，所述第二電容的另一端接地。

6.一種包含權(quán)利要求1-5任一所述的加熱控制單元的加熱控制裝置，其特征在于，還包括功率檢測單元、射頻信號驅(qū)動單元；

所述功率檢測單元，用于檢測加熱型光發(fā)射次模塊的發(fā)光功率；

所述射頻信號驅(qū)動單元，用于為所述加熱型光發(fā)射次模塊的激光器芯片提供偏置電流和射頻驅(qū)動電流；

所述加熱控制裝置，用于根據(jù)所述溫度的變化，為所述加熱型光發(fā)射次模塊提供所述供電電壓。