[發(fā)明專利]車輛控制器和具有其的車輛在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110679816.1 | 申請日: | 2021-06-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115489297A | 公開(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 齊阿喜;張星春;喻鳳傳;曾慶暉 | 申請(專利權(quán))人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | B60K11/04 | 分類號(hào): | B60K11/04;H05K5/02;H05K7/20;H05K9/00;H01M10/613;H01M10/625;H01M10/6567 |
| 代理公司: | 北京景聞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11742 | 代理人: | 張強(qiáng) |
| 地址: | 518118 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 車輛 控制器 具有 | ||
1.一種車輛控制器,其特征在于,包括:
控制箱,所述控制箱具有在其厚度方向相對(duì)設(shè)置的第一外表面和第二外表面,所述第一外表面設(shè)有控制冷卻水道,所述控制冷卻水道包括IGBT冷卻層、電源冷卻層和過渡段,所述IGBT冷卻層和所述電源冷卻層在所述控制箱的厚度方向上層疊設(shè)置且通過所述過渡段連通;
IGBT模組,所述IGBT模組安裝于所述第一外表面,所述IGBT模組伸入所述IGBT冷卻層且由所述IGBT冷卻層內(nèi)的冷卻液散熱;
電源模塊,所述電源模塊安裝于所述第二外表面,所述電源模塊鄰近所述電源冷卻層且由所述電源冷卻層內(nèi)的冷卻液散熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的車輛控制器,其特征在于,所述控制箱包括:
箱體,所述電源冷卻層形成于所述箱體,所述電源模塊安裝于所述箱體;
水道蓋板,所述水道蓋板安裝于所述箱體且封蓋所述電源冷卻層,所述水道蓋板和所述箱體共同限定出所述過渡段,所述IGBT冷卻層形成于所述水道蓋板,所述IGBT模組安裝于所述水道蓋板;
所述水道蓋板設(shè)有插接口,所述插接口與所述IGBT冷卻層連通,所述IGBT模組通過所述插接口伸入所述IGBT冷卻層內(nèi);
所述水道蓋板的背向所述箱體的一面設(shè)有安裝面,所述安裝面環(huán)繞所述插接口,所述IGBT模組安裝于所述安裝面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的車輛控制器,其特征在于,所述安裝面設(shè)有環(huán)繞所述插接口的密封槽,所述密封槽內(nèi)設(shè)有密封圈,所述密封圈密封所述安裝面與所述IGBT模組之間的縫隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的車輛控制器,其特征在于,所述水道蓋板包括:
遮蓋部,所述遮蓋部安裝于所述箱體且遮蓋所述電源冷卻層,所述遮蓋部與所述箱體限定出所述過渡段;
插接部,所述插接部連接于所述遮蓋部的背向所述箱體的一面,所述IGBT模組安裝于插接部的背向所述遮蓋部的一面,所述插接部和所述遮蓋部限定出所述IGBT冷卻層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的車輛控制器,其特征在于,所述控制冷卻水道還包括進(jìn)水段,所述進(jìn)水段連接于所述IGBT冷卻層的遠(yuǎn)離所述過渡段的一端;
所述控制箱連接有進(jìn)水管,所述進(jìn)水管與所述進(jìn)水段連通;
所述進(jìn)水段包括第一段和第二段,所述第一段與所述進(jìn)水管連通,所述第二段的兩端分別連接所述第一段和所述IGBT冷卻層;
其中,所述第一段在所述控制箱的厚度方向上相對(duì)于所述IGBT冷卻層向所述第二外表面偏移。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的車輛控制器,其特征在于,所述控制箱包括:
箱體,所述電源冷卻層形成于所述箱體,所述電源模塊安裝于所述箱體;
水道蓋板,所述水道蓋板安裝于所述箱體且封蓋所述電源冷卻層,所述水道蓋板和所述箱體共同限定出所述過渡段,所述IGBT冷卻層形成于所述水道蓋板,所述IGBT模組安裝于所述水道蓋板;
其中,所述第二段的一部分形成于所述箱體且另一部分形成于所述水道蓋板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的車輛控制器,其特征在于,所述第二外表面構(gòu)造有多個(gè)屏蔽腔,每個(gè)所述屏蔽腔和所述電源冷卻層的水道共用至少一個(gè)側(cè)壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的車輛控制器,其特征在于,所述過渡段包括第三段和第四段,所述第三段與所述電源冷卻層連通,所述第四段的兩端分別與所述第三段和IGBT冷卻層連通;
其中,所述第三段在所述控制箱的厚度方向上相對(duì)于所述IGBT冷卻層向所述第二外表面偏移。
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