[發明專利]芯片間的導電橋及其制造方法、芯片測試方法

有效

• 申請號: 202110669407.3
• 申請日: 2021-06-17
• 公開（公告）號: CN113130343B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 徐希銳
• 申請（專利權）人: 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;B81B7/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 田婷

1.一種芯片間的導電橋的制造方法，其特征在于，包括：

提供一具有多個芯片區的襯底，相鄰芯片區之間設有劃片道，所述劃片道中形成有頂面相對所述襯底的上表面凸起的橋面結構，所述橋面結構包括依次堆疊的第一介質層、導電的下極板層和第二介質層，在各個所述芯片區中具有與所述橋面結構一道形成的第一介質層、下極板層、第二介質層，所述橋面結構的頂面的至少一個位置處形成有開口，在所述開口外圍的橋面結構的頂面的高度與頂面的寬度之比大于5/4；

在所述橋面結構及其兩側的劃片道、芯片區上依次覆蓋待刻蝕層和光刻膠層，所述待刻蝕層包括導電的上極板層，且所述待刻蝕層和所述光刻膠層均在所述開口處隨形覆蓋且所述光刻膠層在所述開口處底部下陷；

圖案化所述光刻膠層，圖案化后的所述光刻膠層保留有底部下陷的部分，且圖案化后的所述光刻膠層定義出需要在各個芯片區和橋面結構頂面上保留下來的上極板層，并暴露出橋面結構的側壁上的待刻蝕層的表面以及橋面結構兩側的劃片道中的待刻蝕層的表面；

以圖案化后的所述光刻膠層為掩膜，刻蝕所述待刻蝕層，以在所述劃片道中形成導電橋并在各個所述芯片區中形成MEMS麥克風芯片，所述導電橋包括所述橋面結構以及堆疊在所述橋面結構的頂面上的所述待刻蝕層，所述導電橋通過所述上極板層與周圍的至少兩個所述芯片區中的MEMS麥克風芯片電性相連，且在所述芯片區中，所述下極板層為MEMS麥克風芯片的振膜，所述上極板層為MEMS麥克風芯片的背板；

去除圖案化后的所述光刻膠層，并至少去除所述芯片區中的所述下極板層和所述上極板層之間的部分第二介質層，以形成MEMS麥克風芯片的空腔。

2.如權利要求1所述的芯片間的導電橋的制造方法，其特征在于，所述開口包括至少一個溝槽和/或至少一個開孔。

3.如權利要求2所述的芯片間的導電橋的制造方法，其特征在于，在沿所述橋面結構的頂面的長度方向上，所述溝槽僅位于所述劃片道內或者延伸到所述劃片道兩側的芯片區中，在沿所述橋面結構的頂面的寬度方向上，所述溝槽的寬度小于所述橋面結構的頂面的寬度。

4.如權利要求2所述的芯片間的導電橋的制造方法，其特征在于，在沿所述橋面結構的頂面的高度方向上，所述開口貫穿所述橋面結構中的至少一層，或者，所述開口未貫穿所述橋面結構中的任意一層。

5.如權利要求1-4中任一項所述的芯片間的導電橋的制造方法，其特征在于，通過刻蝕所述橋面結構中的至少一層和/或所述橋面結構底部的所述襯底，以形成所述開口。

6.如權利要求5所述的芯片間的導電橋的制造方法，其特征在于，在形成導電橋之后，還包括：在各個所述芯片區中形成分別與所述下極板層或所述上極板層電性接觸的焊盤。

7.一種芯片間的導電橋，其特征在于，所述導電橋形成在一襯底的相鄰芯片區之間的劃片道中，各個芯片區中形成有MEMS麥克風芯片，且所述導電橋包括：

橋面結構，所述橋面結構的頂面相對所述襯底的上表面凸起，且所述橋面結構包括依次堆疊的第一介質層、導電的下極板層和第二介質層，所述橋面結構的頂面的至少一個位置處形成有開口，在所述開口外圍的橋面結構的頂面的高度與頂面的寬度之比大于5/4；

待刻蝕層，隨形覆蓋在所述橋面結構的頂面上且在所述開口處頂面下陷，所述待刻蝕層還暴露出橋面結構的側壁以及橋面結構兩側的劃片道中的襯底的上表面；

其中，所述待刻蝕層包括導電的上極板層，在各個所述芯片區中具有與所述導電橋一道形成的第一介質層、下極板層、第二介質層和上極板層，所述導電橋通過所述上極板層電性連接所述劃片道周圍的多個芯片區中的MEMS麥克風芯片，且在所述芯片區中，所述下極板層為MEMS麥克風芯片的振膜，所述上極板層為MEMS麥克風芯片的背板，所述下極板層和所述上極板層之間的第二介質層至少被部分去除而形成MEMS麥克風芯片的空腔。

8.一種芯片測試方法，其特征在于，包括：

采用權利要求1-6中任一項所述的芯片間的導電橋的制造方法，在一襯底上形成導電橋以及與所述導電橋電性連接的多個MEMS麥克風芯片；

利用所述導電橋的電傳導作用，對與所述導電橋電性連接的多個MEMS麥克風芯片一起進行點測。