[發(fā)明專利]生成式對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動(dòng)的硅鍺超晶格發(fā)光新材料開發(fā)技術(shù)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110668704.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113421621A | 公開(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉元杰;林建涵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)農(nóng)業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G16C60/00 | 分類號(hào): | G16C60/00;G06F30/27;G06N3/04;G06N3/08;G06F113/26 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100083 北京市海淀*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 生成 對(duì)抗 網(wǎng)絡(luò) 驅(qū)動(dòng) 硅鍺超 晶格 發(fā)光 新材料 開發(fā) 技術(shù) | ||
1.一種生成式對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動(dòng)的硅鍺超晶格發(fā)光新材料開發(fā)技術(shù),其特征在于,所述方法包括:
使用第一性原理計(jì)算產(chǎn)生不同排列方式硅鍺超晶格能帶結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù);
構(gòu)造生成式對(duì)抗網(wǎng)絡(luò),對(duì)超晶格對(duì)應(yīng)能帶結(jié)構(gòu)的映射關(guān)系進(jìn)行建模;
使用模擬計(jì)算生成的樣本及少量實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)構(gòu)造訓(xùn)練數(shù)據(jù)集;
對(duì)生成式對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)中的生成模型和判別模型進(jìn)行交錯(cuò)聯(lián)合訓(xùn)練;
使用生成模型對(duì)不同排列方式的硅鍺超晶格材料體系進(jìn)行搜索,選擇具有最優(yōu)發(fā)光性能的結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,使用第一性原理計(jì)算硅鍺超晶格能帶結(jié)構(gòu),超晶格的排列為隨機(jī)產(chǎn)生,無需特殊人工設(shè)計(jì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述方法,其特征在于,所述使用第一性原理計(jì)算隨機(jī)排列結(jié)構(gòu)生成樣本,樣本的產(chǎn)生方式為多機(jī)并行執(zhí)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,生成模型為循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),判別模型為卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,使用的訓(xùn)練樣本在模擬數(shù)據(jù)中結(jié)合了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),訓(xùn)練過程能夠?qū)崿F(xiàn)模擬樣本與真實(shí)樣本中信息的融合,提高了模型預(yù)測(cè)結(jié)果的實(shí)用性。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,所述使用生成模型對(duì)隨機(jī)超晶格結(jié)構(gòu)進(jìn)行搜索,其輸出結(jié)果為能帶是直接帶隙可能性的評(píng)分。
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