[發(fā)明專利]包含膦氧化物基質(zhì)和金屬鹽的半導(dǎo)體材料在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110659744.4 | 申請日： | 2014-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN113563379A | 公開（公告）日： | 2021-10-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 卡斯滕·羅特;邁克·策爾納 | 申請（專利權(quán)）人： | 諾瓦爾德股份有限公司 |
| 主分類號： | C07F9/53 | 分類號： | C07F9/53;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 劉慧;金海霞 |
| 地址： | 德國德*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包含 氧化物 基質(zhì) 金屬 半導(dǎo)體材料 | ||
1.一種半導(dǎo)體材料，其包含：
i)化合物，其選自A1至A7和B1至B8：
以及
ii)至少一種式(II)所示的鋰絡(luò)合物
其中A1是C6-C30亞芳基或在芳香環(huán)中包含至少一個(gè)選自O(shè)、S和N的原子的C2-C30亞雜芳基，并且每個(gè)A2和A3獨(dú)立地選自C6-C30芳基和在芳香環(huán)中包含至少一個(gè)選自O(shè)、S和N的原子的C2-C30雜芳基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體材料，其中在化合物(II)中，A1是亞苯基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體材料，其中在化合物(II)中，取代基A2和A3中至少一個(gè)是苯基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體材料，其中化合物(II)選自D2或D3：
5.一種電子器件，其包含陰極、陽極和在陰極和陽極之間的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包含根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一所述的半導(dǎo)體材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子器件，其中所述半導(dǎo)體層是電子傳輸層或電子注入層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子器件，其中所述半導(dǎo)體層不發(fā)光。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子器件，其是發(fā)光器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件，其中所述電子器件是有機(jī)發(fā)光二極管。
10.一種化合物，其選自A1至A7和B1至B8：
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