[發明專利]等離子體處理裝置和被處理體的處理方法

在審

• 申請號: 202110653982.4
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN113394082A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 田端雅弘;木原嘉英
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/311;H01L21/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發明提供一種在被處理體上的圖案形成中能夠應對伴隨高度集成化的微細化和多樣的形狀圖案的形成的等離子體處理裝置和被處理體的處理方法。在實施方式的被處理體的處理方法中，被處理體包括第一凸部、第二凸部、被蝕刻層和槽部，槽部設置在該被處理體的主面并設置在該被蝕刻層，被夾在該第一凸部和該第二凸部之間，槽部的內側的表面包含在該被處理體的該主面，該方法反復執行N次第一流程，其中，N為2以上的整數，第一流程包括：(a)在收納有被處理體的等離子體處理裝置的處理容器內在該被處理體的該主面保形地形成保護膜的步驟；和(b)在上述步驟(a)的執行后，由在處理容器內產生的氣體的等離子體對被處理體中的槽部的底部蝕刻的步驟。

本申請是申請日為2017年08月29日、申請號為201710754868.4、發明名稱為“處理被處理體的方法”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明的實施方式涉及處理被處理體的方法，特別涉及利用等離子體進行半導體基板的表面處理的方法。

背景技術

有時利用等離子體處理裝置對晶片等的被處理體進行等離子體處理。作為等離子體處理的一種，有等離子體蝕刻。等離子體蝕刻為了在被蝕刻層上轉印設置在該被蝕刻層上的掩模的圖案而進行的。作為掩模，一般利用抗蝕劑掩模。抗蝕劑掩模由光刻膠技術形成。因此，形成在被蝕刻層的圖案的極限尺寸依賴于由光刻膠技術形成的抗蝕劑掩模的分辨率。

然而，對電子器件的高度集成化的需求不斷增高，需要形成小于抗蝕劑掩模的分辨率極限的尺寸的圖案。抗蝕劑掩模的分辨率存在分辨率極限。因此，如專利文獻1所記載的，通過在抗蝕劑掩模上形成氧化硅膜，調整該抗蝕劑掩模的尺寸，提出縮小由該抗蝕劑掩模提供的開口的寬度的技術。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2004-80033號公報

發明內容

發明想要解決的技術問題

另一方面，隨著近年來電子器件的高度集成度的微細化，在被處理體上的圖案形成中，需要控制高精度的最小現款(CD：Critical Dimension)的控制，進而有時需要形成多樣形狀的圖案。

如上所述，在被處理體上的圖案形成中，期望開發一種在被處理體上的圖案形成中能夠應對伴隨著高度集成化的微細化和多樣的形狀的圖案的形成的技術。

用于解決技術問題的技術方案

在一個實施方式中，提供一種處理被處理體的方法。上述被處理體包括第一凸部、第二凸部、被蝕刻層和槽部，上述被蝕刻層包括包含于該第一凸部的區域和包含于該第二凸部的區域，上述槽部設置在該被處理體的主面并設置在該被蝕刻層，被夾在該第一凸部和該第二凸部之間，上述槽部的內側的表面包含于該被處理體的該主面。上述方法反復執行N次第一流程，其中，N為2以上的整數。第一流程包括：在收納有被處理體的等離子體處理裝置的處理容器內在該被處理體的該主面保形地形成保護膜的步驟(稱作步驟a)；和在執行步驟a后，通過在處理容器內產生的氣體的等離子體對被處理體中的槽部的底部蝕刻的步驟(稱作步驟b)。

在上述方法中，在被處理體的主面(包括槽部的內部的表面)保形地形成保護膜的步驟a和在執行步驟a后對設置在該主面的槽部的底部進行蝕刻的步驟b可以被交替反復執行。因此，在每次執行多次的步驟a中，適當調節保護膜的膜厚等，且在每次執行多次的步驟b中適當調節蝕刻量等，由此能夠比較精密地根據期望的槽部的多樣的形狀進行槽部的加工。