[發明專利]等離子體處理裝置和被處理體的處理方法

在審

• 申請號: 202110653982.4
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN113394082A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 田端雅弘;木原嘉英
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/311;H01L21/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

具有氣體導入口和排氣口的處理容器；

等離子體生成用的高頻電源；和

控制部，

所述控制部進行控制，以執行包含以下步驟的處理，即：

步驟a，向所述處理容器中提供被處理體的步驟，其中，所述被處理體具有形成有槽部的被蝕刻層；

步驟b，經由所述氣體導入口對所述被處理體供給包含含硅反應前驅體的氣體，使所述含硅反應前驅體吸附于所述槽部的表面；

步驟c，使所述被處理體暴露于通過來自所述高頻電源的高頻電力而從含氧原子氣體和氟代烴氣體生成的等離子體中；和

步驟d，反復執行一次以上的所述步驟b和所述步驟c，

所述控制部進行控制，以使得在所述步驟c中，使吸附了的所述含硅反應前驅體與所述等離子體中的氧活性種進行反應來形成保護膜，并且用所述等離子體中的氟活性種來蝕刻所述槽部的底部。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述步驟c中，所述保護膜形成在所述槽部的側壁。

3.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述步驟d中，所述保護膜以所述槽部的開口側的所述保護膜厚，所述底部側的所述保護膜薄的方式形成在所述槽部的側壁。

4.如權利要求1～3中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述控制部進行控制，以使得在所述步驟c中對所述被處理體施加偏置電力。

5.如權利要求1～4中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述被蝕刻層包括第一凸部和第二凸部，所述槽部是由所述第一凸部和所述第二凸部來界定的。

6.如權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一凸部和所述第二凸部高度不同。

7.如權利要求5或6所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述第一凸部上設置有掩模。

8.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述掩模上設置有沉積膜。

9.如權利要求1～8中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述含硅反應前驅體的氣體包含氨基硅烷類氣體。

10.如權利要求1～9中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述含氧原子氣體包含二氧化碳氣體或氧氣。

11.如權利要求1～10中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述氟代烴氣體包含CF₄氣體、C₄F₆氣體或C₄F₈氣體。

12.如權利要求1～11中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述保護膜是氧化硅膜。