[發(fā)明專利]絕緣導(dǎo)熱墊片及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110653945.3
• 申請(qǐng)日: 2021-06-11
• 公開（公告）號(hào): CN113337121A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葛翔;石燕軍;李峰;李壯;周步存
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州富烯科技股份有限公司
• 主分類號(hào): C08L83/04
• 分類號(hào): C08L83/04;C08L79/08;C08K7/00;C08K3/38;C08L23/06;C08L23/12;C08K3/28;C08L25/06;C08L77/00;C08L83/08;C08K3/34;C08L27/18;C08L67/02;C08L55/02
• 代理公司: 北京世衡知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11686
• 代理人: 肖淑芳

1.一種絕緣導(dǎo)熱墊片，其特征在于，包括絕緣導(dǎo)熱材料、高分子聚合物與粘結(jié)劑，所述絕緣導(dǎo)熱材料為二維片狀結(jié)構(gòu)，所述二維片狀結(jié)構(gòu)沿著該絕緣導(dǎo)熱墊片的厚度方向取向，所述高分子聚合物呈絲狀，將二維片狀結(jié)構(gòu)相互連接，最終貫穿于所述絕緣導(dǎo)熱墊片內(nèi)部，所述二維導(dǎo)熱填料選自氮化硼、氮化鋁、碳化硅中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣導(dǎo)熱墊片，其特征在于，所述二維導(dǎo)熱填料在片徑5-300μm，優(yōu)選10-200μm，最優(yōu)為20-50μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣導(dǎo)熱墊片，其中所述二維導(dǎo)熱填料占比50wt％-92wt％，優(yōu)選60wt％-80wt％，更優(yōu)選65wt％-75wt％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣導(dǎo)熱墊片，其中所述網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)由高分子聚合物拉絲形成，優(yōu)選地，所述高分子聚合物選自PI、PE、PP、PS、PA、PTFE、ABS、PET、PVDF中的至少一種，并且優(yōu)選地所述高分子聚合物為拉絲級(jí)，優(yōu)選地，所述高分子聚合物占比1wt％-5wt％，優(yōu)選為2wt％-4wt％。

5.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的絕緣導(dǎo)熱墊片，其中所述粘結(jié)劑占比5wt％-49wt％，優(yōu)選為15wt％-40wt％，更優(yōu)選20wt％-30wt％，優(yōu)選地，所述粘接劑選自環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、有機(jī)硅膠中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的絕緣導(dǎo)熱墊片，其中所述有機(jī)硅膠為液體有機(jī)硅膠，選自α,ω-二羥基聚二甲基硅氧烷、聚二甲基環(huán)硅氧烷、聚二甲基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷、α,ω-二羥基聚甲基(3,3,3-三氟丙基)硅氧烷、α,ω-二乙基聚二甲基硅氧烷、氰基硅氧基硅烷中的至少一種。

7.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的絕緣導(dǎo)熱墊片，其厚度為0.25-5mm，優(yōu)選0.5-2mm。

8.一種制備絕緣導(dǎo)熱墊片的方法，其包括以下步驟：

(a)將二維導(dǎo)熱填料與高分子聚合物混合；

(b)通過剪切方式或高速離心旋轉(zhuǎn)將所述高分子聚合物轉(zhuǎn)變?yōu)榻z狀物，并將所述二維導(dǎo)熱填料相互連接；

(c)加入粘接劑并充分混合，使高分子絲狀物貫穿于整個(gè)體系中，形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)；

(d)制成片材，優(yōu)選地，該片材厚度為0.2-3.0mm，優(yōu)選為0.5-2.0mm；

(e)將所述片材層疊后壓制成塊體，并固化成型，優(yōu)選地，所述固化為加熱固化或常溫固化；

(f)將固化成型后的塊體沿著所述片材層疊的高度方向切割成若干薄片，得到絕緣導(dǎo)熱墊片，優(yōu)選地，在該步驟中，切割方式選自線切割、激光切割、超聲波切割、冷凍切割、超聲波-冷凍切割中的一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中步驟(b)中采用高速剪切速率為5000-30000r/min，優(yōu)選10000-25000r/min，剪切的時(shí)間為1-15min，優(yōu)選5-10min。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中步驟(b)中采用高速離心旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5000-50000r/min，優(yōu)選20000-30000r/min，旋轉(zhuǎn)時(shí)間5-20min，優(yōu)選10-15min。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中固化為加熱固化，固化溫度為180℃以下，優(yōu)選150℃以下。

12.根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中步驟(f)中切割形成的薄片厚度為0.25-5mm，優(yōu)選為0.5-2mm。

13.一種電子設(shè)備，其特征在于，該電子設(shè)備具備熱源、散熱部件、以及夾持于該熱源與該散熱部件之間的絕緣導(dǎo)熱墊片，其中所述絕緣導(dǎo)熱墊片是權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的絕緣導(dǎo)熱墊片或者采用權(quán)利要求8-12中所述的方法制得。