[發明專利]極紫外線微影方法、極紫外線遮罩及其形成方法

在審

• 申請號: 202110653476.5
• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN113359384A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 石志聰;吳于勳;劉柏村;李宗泉
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/24
• 分類號: G03F1/24;G03F1/52;G03F1/54
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

在一些實施例中，一種極紫外線微影方法、極紫外線遮罩及其形成方法，形成極紫外線(EUV)遮罩的方法包含形成多層Mo/Si疊層，此多層Mo/Si疊層包括在遮罩基材之上交替堆疊的Mo層及Si層；在多層Mo/Si疊層之上形成釕覆蓋層；采用鹵素元素、五價元素、六價元素、或其等的組合摻雜釕覆蓋層；在釕覆蓋層之上形成吸收層；蝕刻吸收層以在吸收層中形成圖案。

技術領域

本揭露是有關于一種極紫外線微影方法、極紫外線遮罩及其形成方法。

背景技術

半導體集成電路系統(semiconductor integrated circuit；IC)產業已經歷快速的成長。在集成電路材料及設計方面的技術進步已產生數代集成電路，其中每一代均比前一代具有更小、更復雜的電路。在IC演進的過程中，已總體上增加功能密度(即，每個晶片面積的互連接元件的數量)，而減小幾何大小(即，使用生產制程可創建的最小組件(或線路))。此種按比例縮小的制程總體上可通過增加生產效率及減低關聯的成本，以提供效益。然而，這些按比例縮小亦已增加處理及制造IC的復雜性且，為了實現這些演進，需要在IC處理及制造方面進行類似的開發。

發明內容

在一些實施例中，一種形成極紫外線(EUV)遮罩的方法包括以下步驟。在遮罩基材之上形成包括交替堆疊的Mo層及Si層的多層Mo/Si堆疊。在多層Mo/Si堆疊之上形成釕覆蓋層。采用鹵素元素、五價元素、六價元素或以上的組合，摻雜釕覆蓋層。在釕覆蓋層之上形成吸收層。蝕刻吸收層以在吸收層中形成圖案。

在一些實施例中，一種極紫外線微影(EUVL)方法，包含開啟液滴生成器，以將金屬液滴朝著收集器前面的激發區噴射；開啟激光源以將激光朝向激發區域發射，使得金屬液滴通過激光所加熱以生成EUV輻射；通過使用一個或更多個第一光學器件，將EUV輻射朝向曝光裝置中的反射遮罩引導，反射遮罩包括覆蓋層，覆蓋層具有帶配體的釕配合物，配體具有鹵素元素、五價元素、六價元素、或其等的組合；及通過使用一個或更多個第二光學器件，將EUV輻射從反射遮罩反射，朝向曝光裝置中的經光阻劑涂覆基材引導。

在一些實施例中，極紫外線(EUV)遮罩包含多層Mo/Si堆疊、覆蓋層、及圖案化吸收層。多層Mo/Si堆疊包含設置在遮罩基材之上的交替堆疊的Mo層及Si層。覆蓋層在多層Mo/Si堆疊上。覆蓋層的頂部部分具有第一組合物，第一組合物與在覆蓋層的頂部部分之下的覆蓋層的底部部分的第二組合物不同。圖案化吸收層在覆蓋層上。

附圖說明

當與隨附圖示一起閱讀時，可由后文實施方式最佳地理解本揭露內容的態樣。注意到根據此產業中的標準實務，各種特征并未按比例繪制。實際上，為論述的清楚性，可任意增加或減少各種特征的尺寸。

圖1為根據本揭露內容的一些實施例的具有從激光產生的電漿的EUV輻射源的EUV微影工具的示意圖；

圖2為根據本揭露內容的實施例的極紫外線微影工具的細節的簡化示意簡圖，圖示采用EUV光的圖案化光束對經光阻劑涂覆基材的曝光；

圖3A、圖3B、圖3C、及圖3D為根據一些實施例的用于形成極紫外線(EUV)遮罩的制程的各種階段的截面視圖；

圖4A為根據一些實施例的在EUV輻射的曝光下的極紫外線(EUV)遮罩的截面視圖；

圖4B為例示來自在EUV遮罩上的氣態有機化合物沉積物的烴的機制的簡圖；

圖5A、圖5B、及圖5C為根據一些實施例的用于形成極紫外線(EUV)遮罩的制程的各種階段的截面視圖；

圖6為根據一些實施例的用于形成極紫外線(EUV)遮罩的制程的各種階段的截面視圖；

圖7A圖示例示制造EUV遮罩的方法的流程圖，此EUV遮罩用于根據本揭露內容的實施例的半導體制造操作；