[發明專利]一種防護涂層的制備方法及制備得到的防護涂層有效
| 申請號: | 202110653381.3 | 申請日: | 2021-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN113529033B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發明(設計)人: | 王麗;汪愛英;張棟;王振玉;陳仁德 | 申請(專利權)人: | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所;寧波工業技術研究院 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司: | 北京元周律知識產權代理有限公司 11540 | 代理人: | 孫小萬 |
| 地址: | 315201 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 防護 涂層 制備 方法 得到 | ||
1.一種防護涂層的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:
(1)在含氮氣氛I下,以金屬M為靶材,磁控濺射I,得到在基體表面沉積的第一涂層;
所述靶材與所述基體呈第一角度;
(2)在含氮氣氛II下,使所述靶材與所述基體呈第二角度,磁控濺射II,得到在所述第一涂層表面沉積的第二涂層;
(3)所述步驟(1)和所述步驟(2)交替進行,直至得到所需厚度的涂層;
(4)將所述步驟(3)制備得到的涂層在鹽霧中進行熱處理,即可得到所述防護涂層;
所述金屬M選自Ti、Cr中的至少一種;
所述第一涂層和所述第二涂層中均包括金屬氮化物;所述金屬氮化物選自TiN、CrN中的至少一種;
所述第一涂層傾斜于所述第二涂層;
所述第一角度為10°~80°;所述第二角度為100°-170°;
所述第一角度與所述第二角度均為與所述基體同一方向的角度。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述熱處理的條件為:溫度為200~300℃;時間為1~5h。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述基體選自金屬基材、聚合物、玻璃、陶瓷中的至少一種。
4.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述金屬基材選自不銹鋼、高速鋼、硬質合金、鈦合金中的任一種。
5.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述磁控濺射I和所述磁控濺射II的時間均獨立地選自3~5min。
6.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,在所述步驟(1)和所述步驟(2)中,所述磁控濺射I和所述磁控濺射II的條件均獨立地選自:直流磁控濺射靶電流為2A~8A;基體直流脈沖偏壓為-100V~-400V;腔體內氣體壓力為2mTorr~4mTorr。
7.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,在所述含氮氣氛I和所述含氮氣氛II中,均還包括氬氣;所述氬氣和所述氮氣的流量比為1:1~3:1。
8.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,在所述步驟(1)之前,還包括對基體進行預處理的如下步驟:
(1-0)在非活性氣氛下,將所述基體置于真空腔體中,使用離子束對所述基體進行刻蝕即可。
9.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于,在所述步驟(1)之前,或者在所述步驟(1-0)之后,還包括如下步驟:
在含氮氣氛III下,以金屬M為靶材,磁控濺射III,得到在基體表面沉積的過渡層;
所述靶材與所述基體平行。
10.根據權利要求9所述的制備方法,其特征在于,所述磁控濺射III的時間為5~10min。
11.根據權利要求9所述的制備方法,其特征在于,所述磁控濺射III的條件為:直流磁控濺射靶電流為2A~8A;基體直流脈沖偏壓為-100V~-400V;腔體內氣體壓力為2mTorr~4mTorr。
12.根據權利要求9所述的制備方法,其特征在于,在所述含氮氣氛III中,還包括氬氣;所述氬氣和所述氮氣的流量比為1:1~3:1。
13.一種防護涂層,其特征在于,所述防護涂層根據權利要求1至12任一項所述方法制備得到。
14.根據權利要求13所述的防護涂層,其特征在于,所述防護涂層的厚度為200-2000nm。
15.根據權利要求13所述的防護涂層,其特征在于,所述防護涂層與水的接觸角為0~5°;所述防護涂層與油的接觸角為0~5°。
16.根據權利要求13所述的防護涂層,其特征在于,所述防護涂層的截面為鋸齒狀。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院寧波材料技術與工程研究所;寧波工業技術研究院,未經中國科學院寧波材料技術與工程研究所;寧波工業技術研究院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110653381.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:1,2-苯并噻嗪雜環衍生物及其制備方法與應用
- 下一篇:制造半導體裝置的方法
- 同類專利
- 專利分類





