[發明專利]顯示面板制造方法、顯示面板及顯示設備

在審

• 申請號: 202110641575.1
• 申請日: 2021-06-09
• 公開（公告）號: CN113380929A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 田文亞;董小彪;高文龍
• 申請（專利權）人: 成都辰顯光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L27/15
• 代理公司: 成都極刻智慧知識產權代理事務所(普通合伙) 51310
• 代理人: 陳萬藝

本申請實施例提供顯示面板制造方法、顯示面板及顯示設備，所述顯示面板制造方法包括：在第一襯底上形成層疊設置的多個無機發光層；從多個無機發光層遠離第一襯底的一側開設多組電極開口；每個電極開口對應一個子像素；在各電極開口處形成接觸電極；將接觸電極與驅動陣列基板上的驅動電極鍵合；從第一襯底遠離驅動陣列基板的一側開設多組像素開口，每組像素開口包括用于暴露相同的無機發光層的多個像素開口，每個像素開口對應一個子像素。通過刻蝕方式直接形成各色無機發光二極管的陣列，然后整體與驅動陣列基板鍵合，避免了無機發光二極管巨量轉移動作，降低了無機發光二極管和驅動陣列基板鍵合時轉移對準的難度，能有效提高產品良率。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體而言，涉及一種顯示面板制造方法、顯示面板及顯示設備。

背景技術

隨著平板顯示和微型投影顯示技術的迅速發展，微型無機發光二極管(Micro-Light Emitting Diode，Micro-LED)由于其具有顯著的性能優勢越來越引起人們的廣泛關注。Micro-LED技術是采用多個微小化的無機發光二極管組成顯示陣列，每個無機發光二極管可單獨點亮，具有低功耗、高亮度、高清晰度與長壽命等優勢，其未來將成為能與有源矩陣有機發光二極管(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，AMOLED)顯示技術并駕齊驅的新型顯示技術。

當前Micro-LED顯示面板制造工藝中，常采用倒裝芯片技術，需要在制作各色的單顆LED芯片后，通過轉移設備將單顆LED芯片拾取并轉移鍵合到驅動陣列基板的對應位置。針對尺寸極小的芯片，巨量芯片轉移、激光剝離技術和芯片與背板的焊接技術等的環節工序復雜，且對制作工藝的要求極高，產品良率難以保證。

發明內容

為了克服上述技術背景中所提及的技術問題，本申請實施例提供一種顯示面板制造方法，所述方法包括：

在第一襯底上形成層疊設置的多個無機發光層，相鄰的所述無機發光層之間包括絕緣連接材料層；

從所述多個無機發光層遠離所述第一襯底的一側開設多組電極開口，每組電極開口包括用于暴露相同的無機發光層的多個電極開口；每個所述電極開口對應一個子像素；

在各所述電極開口處形成接觸電極；

將所述接觸電極與驅動陣列基板上的驅動電極鍵合；

從所述第一襯底遠離所述驅動陣列基板的一側開設多組像素開口，每組像素開口包括用于暴露相同的無機發光層的多個像素開口，每個所述像素開口對應一個子像素。

在一種可能的實現方式中，所述在第一襯底上形成層疊設置的多個無機發光層的步驟，包括：

在第一襯底上形成第一發光層，在第二襯底上形成第二發光層，在第三襯底上形成第三發光層；

通過第一絕緣連接材料層將所述第一發光層遠離所述第一襯底的一面和第二發光層遠離所述第二襯底的一面鍵合；

剝離所述第二襯底；

通過第二絕緣連接材料層將所述第二發光層遠離所述第一發光層的一面和第三發光層遠離所述第三襯底的一面鍵合；

剝離所述第三襯底。

在一種可能的實現方式中，每個所述無機發光層包括從靠近所述第一襯底的一側向遠離所述第一襯底的一側依次層疊的第一半導體層、多量子阱層、以及第二半導體層，每個所述電極開口包括暴露出所述第一半導體層的第一區域和暴露出所述第二半導體層的第二區域；所述在各所述電極開口處形成接觸電極，包括：

在每個所述電極開口的第一區域處形成與所述第一半導體層電性接觸的第一子電極，以及在每個所述電極開口的第二區域處形成與所述第二半導體層電性接觸的第二子電極。