[發明專利]一種單晶硅片背面拋光方法及硅片

有效

• 申請號: 202110638015.0
• 申請日: 2021-06-08
• 公開（公告）號: CN113539813B
• 公開（公告）日: 2023-01-31
• 發明（設計）人: 韓雅楠;劉海金;龐瑞卿;呂闖;時寶;林綱正;陳剛
• 申請（專利權）人: 天津愛旭太陽能科技有限公司;浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L31/18;H01L31/028
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓;李素蘭

本發明公開了一種單晶硅片背面拋光方法，其包括：提供硅片；在硅片的正面形成水膜；將硅片的背面接觸第一酸液，以去除PSG；采用氧化液在硅片的正面形成氧化層；背面接觸堿液，拋光硅片的背面；采用第二酸液去除硅片正面的氧化層；其中，所述堿液不與所述氧化層反應。相應的，本發明還公開了一種硅片，其采用上述的單晶硅片正面拋光方法拋光后得到。實施本發明，可提升拋光效率，降低拋光工藝成本。

技術領域

本發明涉及晶體硅太陽能電池領域，尤其涉及一種單晶硅片背面拋光方法及硅片。

背景技術

PERC(Passivated emitter rear contact)電池是目前工藝較為成熟的高效率太陽能電池之一。在其制備過程中，需要在硅基底背面制備疊層鈍化層，并通過開槽形成背面局部接觸結構。為了減少硅基底背面的懸掛鍵，降低負荷速率，一般在制絨后對硅片背面進行拋光，以削平背面的金字塔塔尖。

現有技術中，拋光工藝包括鏈式酸拋光工藝和槽式堿拋光兩種。鏈式酸拋光工藝采用鏈式設備，采用氫氟酸、硫酸、硝酸的混合溶液作為拋光液進行拋光，這種拋光工藝不僅拋光效率較低，且容易產生大量的污染性氣體。槽式堿拋光工藝采用槽式設備，采用KOH溶液作為拋光液進行拋光，這種拋光工藝的拋光效率較高，但為了保證拋光過程中硅片正面的金字塔結構不被破壞，一般在硅片正面先制備SiN_x膜或SiO₂膜。其中，SiN_x膜需要采用PECVD法制備，工藝復雜。而用SiO₂一般通過熱氧工藝形成，其結構較為穩定，拋光前往往需要在背面印刷腐蝕性漿料以去除該氧化層，這大幅提升了工藝的難度。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種單晶硅片背面拋光方法，其成本低，且拋光效率高。

本發明還要解決的技術問題在于，提供一種硅片。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種單晶硅片背面拋光方法，其包括：

(1)提供硅片；

(2)在所述硅片的正面形成水膜；

(3)將所述硅片的背面接觸第一酸液，以去除硅片背面的PSG；

(4)采用氧化液在所述硅片的正面形成氧化層；

(5)將步驟(4)得到的硅片背面接觸堿液，以拋光硅片的背面；

(6)采用第二酸液去除硅片正面的氧化層；

其中，所述堿液不與所述氧化層反應。

作為上述技術方案的改進，步驟(6)包括：

(6.1)采用清洗液清洗所述硅片的背面；

(6.2)采用第二酸液去除所述硅片正面的氧化層。

作為上述技術方案的改進，步驟(2)～步驟(6)在鏈式拋光設備中進行；所述鏈式拋光設備包括箱體和傳送輥；所述箱體內依次設有第一水洗區、第一酸洗區、氧化區、堿洗區、清洗區和第二酸洗區。

作為上述技術方案的改進，步驟(2)中，在所述第一水洗區內對所述硅片進行處理；

其中，第一水洗區內設有第一噴淋裝置，所述第一噴淋裝置在硅片的上方噴淋水，以在硅片的正面形成水膜，且硅片的背面不形成水膜。

作為上述技術方案的改進，步驟(3)中，在所述第一酸洗區內對所述硅片進行處理；

其中，所述第一酸洗區內設有第一酸液槽，位于第一酸洗區內的傳送輥部分浸沒于所述第一酸液槽中，以將第一酸液帶出，與硅片的背面接觸；

其中，第一酸液為HF溶液，其濃度為3～8wt％。