[發(fā)明專(zhuān)利]一種單晶硅片背面拋光方法及硅片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110638015.0
• 申請(qǐng)日: 2021-06-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113539813B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓雅楠;劉海金;龐瑞卿;呂闖;時(shí)寶;林綱正;陳剛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 天津愛(ài)旭太陽(yáng)能科技有限公司;浙江愛(ài)旭太陽(yáng)能科技有限公司;廣東愛(ài)旭科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/304
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/304;H01L31/18;H01L31/028
• 代理公司: 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓;李素蘭

1.一種單晶硅片背面拋光方法，其特征在于，包括：

(1)提供硅片；

(2)在所述硅片的正面形成水膜；

(3)將所述硅片的背面接觸第一酸液，以去除硅片背面的PSG；其中，所述第一酸液為HF溶液，其濃度為3～8wt％；

(4)采用氧化液在所述硅片的正面形成氧化層；

(5)將步驟(4)得到的硅片背面接觸堿液，以?huà)伖夤杵谋趁妫?/p>

(6)采用第二酸液去除硅片正面的氧化層；

其中，所述堿液不與所述氧化層反應(yīng)；步驟(6)包括：

(6.1)采用清洗液清洗所述硅片的背面；

(6.2)采用第二酸液去除所述硅片正面的氧化層；其中，所述第二酸液為HF溶液，其濃度為5～10wt％；

步驟(2)～步驟(6)在鏈?zhǔn)綊伖庠O(shè)備中進(jìn)行；所述鏈?zhǔn)綊伖庠O(shè)備包括箱體和傳送輥；所述箱體內(nèi)依次設(shè)有第一水洗區(qū)、第一酸洗區(qū)、氧化區(qū)、堿洗區(qū)、清洗區(qū)和第二酸洗區(qū)；

步驟(4)中，在所述氧化區(qū)對(duì)所述硅片進(jìn)行處理；其中，所述氧化區(qū)內(nèi)設(shè)有第二噴淋裝置，所述第二噴淋裝置在所述硅片的上方噴淋所述氧化液，以使硅片的正面接觸氧化液，且硅片的背面不接觸氧化液；其中，所述氧化液為O₃、HCl的混合溶液，其中，O₃的濃度為10～25ppm，HCl的濃度為1～5wt％；

步驟(6.1)中，在清洗區(qū)對(duì)所述硅片進(jìn)行處理；其中，所述清洗區(qū)內(nèi)設(shè)有第三噴淋裝置，所述第三噴淋裝置將所述清洗液噴淋至所述硅片的背面，以使硅片的背面接觸清洗液，且硅片的正面不接觸清洗液；所述清洗液為O₃、HCl的混合溶液，其中，O₃的濃度為10～25ppm，HCl的濃度為1～5wt％。

2.如權(quán)利要求1所述的單晶硅片背面拋光方法，其特征在于，步驟(2)中，在所述第一水洗區(qū)內(nèi)對(duì)所述硅片進(jìn)行處理；

其中，第一水洗區(qū)內(nèi)設(shè)有第一噴淋裝置，所述第一噴淋裝置在硅片的上方噴淋水，以在硅片的正面形成水膜，且硅片的背面不形成水膜。

3.如權(quán)利要求1所述的單晶硅片背面拋光方法，其特征在于，步驟(3)中，在所述第一酸洗區(qū)內(nèi)對(duì)所述硅片進(jìn)行處理；

其中，所述第一酸洗區(qū)內(nèi)設(shè)有第一酸液槽，位于第一酸洗區(qū)內(nèi)的傳送輥部分浸沒(méi)于所述第一酸液槽中，以將第一酸液帶出，與硅片的背面接觸。

4.如權(quán)利要求1所述的單晶硅片背面拋光方法，其特征在于，步驟(5)中，在所述堿洗區(qū)對(duì)所述硅片進(jìn)行處理；

其中，所述堿洗區(qū)內(nèi)設(shè)有堿液槽，將所述硅片背面接觸堿洗槽，以?huà)伖馑龉杵谋趁妫?/p>

其中，所述堿液為NaOH溶液或KOH溶液，其濃度為5～10wt％，其溫度為65～75℃。

5.如權(quán)利要求1所述的單晶硅片背面拋光方法，其特征在于，步驟(6.2)中，在所述第二酸洗區(qū)對(duì)所述硅片進(jìn)行處理；

其中，所述第二酸洗區(qū)設(shè)有第四噴淋裝置，所述第四噴淋裝置將所述第二酸液噴淋至所述硅片的正面，以使硅片的正面接觸第二酸液，且硅片的背面不接觸第二酸液。

6.一種硅片，其特征在于，其由權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的單晶硅片背面拋光方法拋光后得到。