[發明專利]半導體存儲裝置及半導體存儲裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202110632543.5
• 申請日: 2021-06-07
• 公開（公告）號: CN115050747A
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發明（設計）人: 鹿嶋孝之
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 王程

1.一種半導體存儲裝置，其具備：

第1層疊體，其具備具有第1平均晶體粒徑的第1多晶半導體層、具有與所述第1平均晶體粒徑相比較小的第2平均晶體粒徑的第2多晶半導體層、設置于所述第1多晶半導體層與所述第2多晶半導體層之間的中間層、與所述第2多晶半導體層相接設置且具有與所述第1平均晶體粒徑相比較小的第3平均晶體粒徑的第3多晶半導體層；

第2層疊體，其設置于所述第1層疊體的上方，具有多個導電層和多個絕緣層，各個所述導電層及各個所述絕緣層交替層疊且沿第1方向延伸；

半導體層，其沿與所述第1方向相交的第2方向貫穿所述第2層疊體，與所述第3多晶半導體層相接設置；以及

存儲器層，其沿所述第2方向貫穿所述第2層疊體，在所述第1方向上設置于所述半導體層與所述導電層之間。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，

所述第2多晶半導體層與所述第1多晶半導體層相比較薄。

3.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中，

所述中間層與所述第2多晶半導體層相比較薄。

4.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中，

所述中間層含有氧、碳或氮。

5.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中，

所述第3平均晶體粒徑與各自包括所述半導體層和所述存儲器層的多個柱狀體的間距相比較小。

6.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中，

所述第3多晶半導體層含有磷。

7.一種半導體存儲裝置，其具備：

第1層疊體；

第2層疊體，其設置于所述第1層疊體的上方，具有多個導電層和多個絕緣層，各個所述導電層及各個所述絕緣層交替層疊且沿第1方向延伸；以及

柱狀體，其沿與所述第1方向相交的第2方向貫穿所述第2層疊體，

所述第1層疊體具備：

第1多晶半導體層，其具有第1平均晶體粒徑；

第2多晶半導體層，其具有與所述第1平均晶體粒徑相比較小的第2平均晶體粒徑；

第1中間層，其設置于所述第1多晶半導體層與所述第2多晶半導體層之間；

第3多晶半導體層，其具有第3平均晶體粒徑；

第4多晶半導體層，其具有第4平均晶體粒徑；

第5多晶半導體層，其具有與所述第4平均晶體粒徑相比較小的第5平均晶體粒徑；以及

第2中間層，其設置于所述第4多晶半導體層與所述第5多晶半導體層之間，

所述柱狀體具備：

半導體層，其沿所述第2方向貫穿所述第2層疊體，與所述第3多晶半導體層相接設置；以及

電荷儲存層，其在所述第1方向上設置于所述半導體層與所述多個導電層中的至少一個之間，

所述第3多晶半導體層設置于所述第2多晶半導體層與所述第5多晶半導體層之間，且與所述第2多晶半導體層及所述第5多晶半導體層相接，

所述第3平均晶體粒徑小于所述第1平均晶體粒徑且小于所述第4平均晶體粒徑。

8.根據權利要求7所述的半導體存儲裝置，其中，

所述第2多晶半導體層與所述第1多晶半導體層相比較薄，

所述第5多晶半導體層與所述第4多晶半導體層相比較薄。

9.根據權利要求7或8所述的半導體存儲裝置，其中，

所述第1中間層與所述第2多晶半導體層相比較薄，

所述第2中間層與所述第5多晶半導體層相比較薄。

10.根據權利要求7或8所述的半導體存儲裝置，其中，

所述第1中間層和所述第2中間層各自含有氧、碳或氮。