[發(fā)明專利]一種由自組裝異質(zhì)結(jié)材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)層構(gòu)建的憶阻器及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110608381.1
• 申請(qǐng)日: 2021-06-01
• 公開（公告）號(hào): CN113488588B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王燕;呂子玉;程厚義;張悅;趙巍勝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)合肥創(chuàng)新研究院（北京航空航天大學(xué)合肥研究生院）
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 合肥天明專利事務(wù)所(普通合伙) 34115
• 代理人: 周靜

1.一種由自組裝異質(zhì)結(jié)材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)層構(gòu)建的憶阻器，其特征在于：所述憶阻器的存儲(chǔ)介質(zhì)層由自組裝異質(zhì)結(jié)材料制備而成；所述自組裝異質(zhì)結(jié)材料包括零維量子點(diǎn)材料和二維納米材料，其制備方法如下：

配置二維納米材料分散液；配置零維量子點(diǎn)材料分散液；將二維納米材料分散液和零維量子點(diǎn)材料分散液混合后進(jìn)行超聲處理，通過(guò)超聲誘導(dǎo)零維量子點(diǎn)材料在二維納米材料上自組裝，從而制備得到含有自組裝異質(zhì)結(jié)材料的分散液；最后將含有自組裝異質(zhì)結(jié)材料的分散液旋涂在基底上，經(jīng)過(guò)烘干即制得；

所述零維量子點(diǎn)材料包括CsPbI₃、CsPbCl₃、CsPbBr₃中的至少一種；所述二維納米材料為黑磷納米片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的由自組裝異質(zhì)結(jié)材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)層構(gòu)建的憶阻器，其特征在于：所述憶阻器為垂直結(jié)構(gòu)，包括自下而上依次設(shè)置的基底、底部電極、存儲(chǔ)介質(zhì)層和頂部電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的由自組裝異質(zhì)結(jié)材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)層構(gòu)建的憶阻器，其特征在于：所述基底為表面負(fù)載有SiO₂的硅片、紙、玻璃片、聚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯中的一種；所述底部電極和頂部電極以導(dǎo)電電極材料制備，所述導(dǎo)電電極材料為金屬、氧化銦錫、摻氟氧化錫或鋁摻雜氧化鋅中的一種。

4.如權(quán)利要求2或3所述的由自組裝異質(zhì)結(jié)材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)層構(gòu)建的憶阻器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

含有底部電極的基底經(jīng)過(guò)清洗、干燥后備用；

將含有自組裝異質(zhì)結(jié)材料的分散液旋涂在底部電極表面，烘干后在底部電極上得到由自組裝異質(zhì)結(jié)材料制成的存儲(chǔ)介質(zhì)層；

在存儲(chǔ)介質(zhì)層上制備頂部電極，得到憶阻器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的由自組裝異質(zhì)結(jié)材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)層構(gòu)建的憶阻器，其特征在于：所述憶阻器為水平結(jié)構(gòu)，包括位于底部的基底，所述基底的頂部設(shè)有一對(duì)水平電極和存儲(chǔ)介質(zhì)層；所述存儲(chǔ)介質(zhì)層位于兩個(gè)水平電極之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的由自組裝異質(zhì)結(jié)材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)層構(gòu)建的憶阻器，其特征在于：所述基底為表面負(fù)載有SiO₂的硅片、紙、玻璃片、聚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯中的一種；所述水平電極以導(dǎo)電電極材料制備，所述導(dǎo)電電極材料為金屬、氧化銦錫、摻氟氧化錫或鋁摻雜氧化鋅中的一種。

7.如權(quán)利要求5或6所述的由自組裝異質(zhì)結(jié)材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)層構(gòu)建的憶阻器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

基底經(jīng)過(guò)清洗、干燥后備用；

將含有自組裝異質(zhì)結(jié)材料的分散液旋涂在基底表面，烘干后在基底上得到由自組裝異質(zhì)結(jié)材料制成的存儲(chǔ)介質(zhì)層；

在存儲(chǔ)介質(zhì)層上制備雙端電極，得到憶阻器。