[發明專利]顯示面板及其制備方法在審
| 申請號: | 202110601548.1 | 申請日: | 2021-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN113327942A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 姜龍;宋亮;胡靜;王江林;楊增剛;歐飛;侯盼;許家豪;廖鵬宇;李浩昇;趙吾陽;郭磊 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本公開提供一種顯示面板及其制備方法,涉及顯示技術領域。本公開的顯示面板包括顯示區和圍繞顯示區的外圍區,外圍區具有外圍彎折區;顯示面板在顯示區具有接觸過孔,在外圍彎折區具有彎折槽;顯示面板包括依次層疊的襯底基板、驅動電路層和像素層;驅動電路層包括半導體層和源漏金屬層,以及包括位于半導體層和源漏金屬層之間的中間層;接觸過孔貫穿中間層且至少延伸至半導體層內;彎折槽包括貫穿中間層的第一彎折槽,以及包括開口于第一彎折槽的槽底的第二彎折槽;源漏金屬層在接觸過孔和彎折槽內均形成有導電圖案。該顯示面板能夠降低顯示面板的制備成本并保證顯示面板的良率。
技術領域
本公開涉及顯示技術領域,具體而言,涉及一種顯示面板及其制備方法。
背景技術
柔性OLED(有機電致發光二極管)顯示面板可以在外圍區設置彎折槽,使得顯示面板的綁定焊盤彎折至顯示面板的背面。同時,主動驅動的顯示面板中,驅動電路層需要設置薄膜晶體管;薄膜晶體管的源極/漏極與有源層之間通過接觸過孔連接。在制備顯示面板時,彎折槽和接觸過孔均需要在制備源漏金屬層之前制備。然而,彎折槽和接觸過孔的制備需要進行三次光刻工藝,這抬高了顯示面板的制備成本。
需要說明的是,在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解,因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本公開的目的在于克服上述現有技術的不足,提供一種顯示面板及其制備方法,降低顯示面板的制備成本并保證顯示面板的良率。
根據本公開的一個方面,提供一種顯示面板,包括顯示區和圍繞所述顯示區的外圍區,所述外圍區具有外圍彎折區;所述顯示面板在所述顯示區具有接觸過孔,在所述外圍彎折區具有彎折槽;
所述顯示面板包括依次層疊的襯底基板、驅動電路層和像素層;所述驅動電路層包括半導體層和源漏金屬層,以及包括位于所述半導體層和所述源漏金屬層之間的中間層;
所述接觸過孔貫穿所述中間層且至少延伸至所述半導體層內;所述彎折槽包括貫穿所述中間層的第一彎折槽,以及包括開口于所述第一彎折槽的槽底的所述第二彎折槽;
所述源漏金屬層在所述接觸過孔和所述彎折槽內均形成有導電圖案。
根據本公開的一種實施方式,所述接觸過孔貫穿所述半導體層。
根據本公開的一種實施方式,所述接觸過孔的深度,為所述第一彎折槽的深度的0.9~1.1倍。
根據本公開的一種實施方式,所述襯底基板包括依次層疊設置的柔性襯底、無機阻擋層和無機緩沖層;所述驅動電路層設置于所述無機緩沖層遠離所述柔性襯底的一側;
所述接觸過孔貫穿所述中間層、所述半導體層、所述無機緩沖層,且延伸至所述無機阻擋層。
根據本公開的一種實施方式,所述源漏金屬層具有第一金屬元素;
所述半導體層靠近所述接觸過孔的部分,摻雜有所述第一金屬元素。
根據本公開的一種實施方式,所述第一金屬元素為鋁。
根據本公開的一種實施方式,所述第一彎折槽的坡度角在40°~55°范圍內。
根據本公開的一種實施方式,所述第二彎折槽的坡度角在50°~65°范圍內。
根據本公開的另一個方面,提供一種顯示面板的制備方法,所述顯示面板包括顯示區和圍繞所述顯示區的外圍區,所述外圍區具有外圍彎折區;
所述顯示面板的制備方法包括依次制備層疊設置的襯底基板、驅動電路層和像素層;所述驅動電路層包括半導體層和源漏金屬層,以及包括位于所述半導體層和所述源漏金屬層之間的中間層;
其中,制備所述驅動電路層包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





