[發明專利]一種MEMS濾波器和制備方法

有效

• 申請號: 202110600933.4
• 申請日: 2021-05-31
• 公開（公告）號: CN113292040B
• 公開（公告）日: 2023-05-19
• 發明（設計）人: 周華芳
• 申請（專利權）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 張巨箭

1.一種MEMS濾波器，其特征在于：包括：

襯底；

第一反射層，位于所述襯底上方；

犧牲層，位于所述第一反射層上，所述犧牲層具有空腔；

第二反射層，位于所述犧牲層上，所述第二反射層對應所述空腔位置為具有釋放孔的浮橋區域，所述浮橋區域內還具有貫穿第二反射層的環形防破裂梁；在第二反射層上挖孔形成上電極孔，并在第二反射層和犧牲層上挖空形成下電極孔；在上電極孔和下電極孔中形成上電極和下電極；

所述防破裂梁的上下兩面中的其中一面為凹面，另外一面為凸面；

所述第一反射層為第一DBR介質膜，所述第二反射層為第二DBR介質膜；所述第一DBR介質膜和第二DBR介質膜均包括交替排列的多晶硅層和氮化硅層；所述防破裂梁位于第二DBR介質膜的每一層均包括凹面和凸面；或者：所述環形防破裂梁為多個同心圓環。

2.根據權利要求1所述的一種MEMS濾波器，其特征在于：所述襯底和第一反射層之間還設置有隔離層。

3.一種MEMS濾波器的制備方法，其特征在于：包括：

在襯底上依次生長第一反射層和犧牲層，所述犧牲層上部設置有環狀第一凹部或者環狀第一凸部；

在犧牲層上部生長第二反射層，所述第二反射層對應所述第一凹部位置形成下凸上凹的凹凸部或者所述第二反射層對應所述第一凸部位置形成下凹上凸的凹凸部，所述凹凸部作為防破裂梁；

在第二反射層上的防破裂梁的周圍形成釋放孔；

通過釋放孔在所述犧牲層形成空腔，空腔對應的第二反射層形成浮橋區域；

所述在犧牲層上部生長第二反射層之后，并且在形成釋放孔的步驟之前，還包括：制作上電極和下電極，具體包括：

在第二反射層上挖孔形成上電極孔，并在第二反射層和犧牲層上挖空形成下電極孔；

在上電極孔和下電極孔中形成上電極和下電極；

所述第一反射層為第一DBR介質膜，所述第二反射層為第二DBR介質膜；所述第一DBR介質膜和第二DBR介質膜均包括交替排列的多晶硅層和氮化硅層；所述防破裂梁位于第二DBR介質膜的每一層均包括凹面和凸面；或者環形防破裂梁為多個同心圓環。

4.根據權利要求3所述的一種MEMS濾波器的制備方法，其特征在于：所述通過釋放孔在所述犧牲層形成空腔，包括：

將器件放入BOE溶液中浸泡，通過濕法蝕刻去除部分犧牲層形成空腔；

取出后利用去離子水清洗掉多余BOE溶液。

5.根據權利要求3所述的一種MEMS濾波器的制備方法，其特征在于：在第二反射層上的防破裂梁的周圍形成釋放孔，具體包括：

在完成上電極和下電極制作的第二反射層上形成保護金屬層；

在保護金屬層上形成光刻膠層；

依次在光刻膠層、保護金屬層和第二反射層上開孔，以形成釋放孔；

去除所述光刻膠層；

所述通過釋放孔在所述犧牲層形成空腔之后，還包括：

去除所述保護金屬層。