[發明專利]一種異質結構的鉑金納米粒子陣列修飾電極的制備方法

在審

• 申請號: 202110595534.3
• 申請日: 2021-05-29
• 公開（公告）號: CN113328105A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 王元有;沈海林;吳美妍;吳啟超;曹曉衛
• 申請（專利權）人: 揚州工業職業技術學院
• 主分類號: H01M4/88
• 分類號: H01M4/88;H01M4/86;H01M4/90;H01M4/92;H01M8/22;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理有限公司 11369
• 代理人: 楊勝

1.一種異質結構的鉑金納米粒子陣列修飾電極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1)、ITO玻璃的預處理：切割ITO玻璃，用無水乙醇擦拭ITO玻璃表面，然后分別在丙酮、異丙醇、超純水中超聲20分鐘；接著在氨水和過氧化氫的混合水溶液中煮沸保持30分鐘，最后浸泡在超純水中備用；

步驟2)、AuNPs/ITO電極的制備：以HAuCl₄和NaClO₄混合溶液為金納米粒子的沉積溶液，通過指甲油涂抹控制ITO電極的幾何面積為0.3cm²；先在預處理好的ITO玻璃電極上施加一個電位階躍，隨后通過循環伏安法，設置循環伏安圈數來控制電化學沉積的量，最終得到AuNPs/ITO電極；

步驟3)、PtNPs/AuNPs/ITO電極的制備：以所述AuNPs/ITO電極為沉積基底，以鉑離子的硫酸溶液為沉積溶液；通過電化學循環伏安法在金納米粒子表面沉積小顆粒的鉑納米粒子，設定電沉積圈數、電位和掃速，沉積結束過后用蒸餾水清洗電極，氮氣吹干保存。

2.如權利要求1所述的異質結構的鉑金納米粒子陣列修飾電極的制備方法，其特征在于，所述氨水和過氧化氫的混合水溶液中各組分的體積比為水：氨水：過氧化氫＝5:1:1。

3.如權利要求1所述的異質結構的鉑金納米粒子陣列修飾電極的制備方法，其特征在于，所述步驟2)中HAuCl₄和NaClO₄的濃度范圍分別為0.05-0.5mM和0.05-0.5M。

4.如權利要求1所述的異質結構的鉑金納米粒子陣列修飾電極的制備方法，其特征在于，所述步驟2)中電位階躍為+0.89V階躍至-0.8V；循環伏安法電位范圍控制在0.4V至-0.1V范圍內，沉積圈數范圍為10-500。

5.如權利要求1所述的異質結構的鉑金納米粒子陣列修飾電極的制備方法，其特征在于，所述步驟3)中鉑離子來源于氯鉑酸鉀，其濃度范圍是0.05-0.5mM，硫酸的濃度為0.05-0.5M。

6.如權利要求1所述的異質結構的鉑金納米粒子陣列修飾電極的制備方法，其特征在于，所述步驟3)的電沉積圈數范圍為50-250、電位設定在1.0V至-0.5V范圍內，掃速為0.5Vs^-1。