[發明專利]一種粗碲粉兩段浸出脫硒制備二氧化碲的方法在審
| 申請號： | 202110592834.6 | 申請日： | 2021-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN113200525A | 公開（公告）日： | 2021-08-03 |
| 發明（設計）人： | 馬永峰;趙秀麗;姜海燕;張娟;宗紅星;張鵬;馬宏博;張媛慶;張琰 | 申請（專利權）人： | 金川鎳鈷研究設計院有限責任公司;金川集團股份有限公司 |
| 主分類號： | C01B19/04 | 分類號： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 蘭州中科華西專利代理有限公司 62002 | 代理人： | 張華芳 |
| 地址： | 737100 甘肅省*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 粗碲粉兩段 浸出 制備 氧化 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種粗碲粉兩段浸出脫硒制備二氧化碲的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
（1）將粗碲粉分步分批次加入稀硝酸溶液中反應1～2h，得到含碲的復合堿式鹽；
（2）將含碲的復合堿式鹽分步分批次加入濃硝酸溶液中反應1～2h，得到二氧化碲。
2.根據權利要求1所述的粗碲粉兩段浸出脫硒制備二氧化碲的方法，其特征在于，步驟（1）中采用的硝酸質量濃度為20%～25%，用量為理論計算量的1.2～1.5倍。
3.根據權利要求1所述的粗碲粉兩段浸出脫硒制備二氧化碲的方法，其特征在于，步驟（2）中采用的硝酸質量濃度為65%～68%，用量為理論計算量的0.95～1.0倍。
4.根據權利要求1所述的粗碲粉兩段浸出脫硒制備二氧化碲的方法，其特征在于，步驟（2）得到的二氧化碲含硒不大于0.0005%，達到TeO299.99含硒不大于0.001%的要求，整個工藝硒的脫除率達到99.8%以上。
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