[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110582937.4
• 申請日: 2021-05-27
• 公開（公告）號: CN115411198A
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王華民
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠(yuǎn)明

本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光器件及其制造方法。發(fā)光器件包括第一電極層、電極保護(hù)層、發(fā)光層和第二電極層。電極保護(hù)層設(shè)置于第一電極層上。電極保護(hù)層中分散有氧氣吸收材料。發(fā)光層設(shè)置于電極保護(hù)層遠(yuǎn)離第一電極層的一側(cè)。第二電極層設(shè)置于發(fā)光層遠(yuǎn)離電極保護(hù)層的一側(cè)。本申請通過在第一電極層側(cè)形成電極保護(hù)層，電極保護(hù)層中分散有氧氣吸收粒子，氧氣吸收粒子能夠吸收發(fā)光器件中的氧氣，從而避免了氧氣對電極層的侵蝕，有效地保障了器件的穩(wěn)定性，并延長器件壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光器件及其制造方法。

背景技術(shù)

有機電致發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)發(fā)光器件和量子點有機發(fā)光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)發(fā)光器件等發(fā)光器件由于具有廣視角、高對比度、高響應(yīng)速度、高亮度等優(yōu)點，而逐漸成為顯示領(lǐng)域的主流。

但是，目前的OLED和QLED顯示器封裝技術(shù)和封裝材料不能完全避免氧氣的入侵。當(dāng)氧氣殘留或從外部進(jìn)入到發(fā)光器件內(nèi)部時，會使電子傳輸層等功能層與電極之間的界面發(fā)生氧化，改變傳輸性質(zhì)，降低界面之間的結(jié)合力。當(dāng)發(fā)光器件通電或進(jìn)行加熱等處理時，會加劇氧化的進(jìn)行，造成器件的迅速老化、失效，器件性能急劇降低。因此，需要提出一種方案來降低氧氣對發(fā)光器件的影響，提高器件光電特性，并延長器件壽命。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請目的在于提供一種能夠降低氧氣對發(fā)光器件的影響的發(fā)光器件及其制造方法。

本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光器件，其包括：

第一電極層；

電極保護(hù)層，設(shè)置于所述第一電極層上，所述電極保護(hù)層中分散有氧氣吸收材料；

發(fā)光層，設(shè)置于所述電極保護(hù)層遠(yuǎn)離所述第一電極層的一側(cè)；以及

第二電極層，設(shè)置于所述發(fā)光層遠(yuǎn)離所述電極保護(hù)層的一側(cè)。

在一種實施方式中，所述氧氣吸收材料包括二氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、二氧化鋯以及硫化鎘中的一種或多種。

在一種實施方式中，所述氧氣吸收材料由二氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、二氧化鋯以及硫化鎘中的一種或多種組成。

在一種實施方式中，所述電極保護(hù)層中還分散有氫氣吸收材料。

在一種實施方式中，所述氫氣吸收材料包括C60+Ca和TiSi₂中的至少一種。

在一種實施方式中，所述氫氣吸收材料由C60+Ca和TiSi₂中的至少一種組成。

在一種實施方式中，所述電極保護(hù)層包括有機薄膜，所述氧氣吸收材料分散于所述有機薄膜中，所述有機薄膜的材料包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、丙烯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯以及聚苯乙烯中的一種。

在一種實施方式中，所述電極保護(hù)層包括有機薄膜和氫氣吸收材料，所述氧氣吸收材料和所述氫氣吸收材料分散于所述有機薄膜中，所述電極保護(hù)層中，所述有機薄膜的材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為50wt％至75wt％；所述氧氣吸收材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為12.5wt％至25wt％；所述氫氣吸收材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為12.5wt％至25wt％。

在一種實施方式中，所述電極保護(hù)層中還分散有空穴消除劑。

在一種實施方式中，所述空穴消除劑包括三乙醇胺、聚二乙醇、聚乙烯醇、聚環(huán)氧乙烷中的一種或多種。