[發明專利]一種用于信號放大的MOS管電阻及其偏置電路

有效

• 申請號: 202110579129.2
• 申請日: 2021-05-26
• 公開（公告）號: CN113359941B
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發明（設計）人: 余占清;張偉;牟亞;陳世萍;嚴鑫
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 北京知聯天下知識產權代理事務所(普通合伙) 11594
• 代理人: 張迎新;史光偉

1.一種用于信號放大的MOS管電阻電路，其特征在于，所述MOS管電阻電路包括共源共柵電流鏡控制電路以及與所述共源共柵電流鏡控制電路連接的MOS管組；

所述共源共柵電流鏡控制電路包括多個晶體管；

所述MOS管組包括P溝道的PMOS管和N溝道的NMOS管，所述PMOS管和所述NMOS管的源極相連，所述PMOS管的柵極和漏極與所述共源共柵電流鏡控制電路中的一段鏡像支路連接，所述NMOS管的柵極和漏極與所述共源共柵電流鏡控制電路中的另一段鏡像支路連接；

所述共源共柵電流鏡控制電路包括兩段被控支路，所述MOS管電阻電路包括兩組所述MOS管組，兩組所述MOS管組與兩段所述被控支路一一對應連接；

所述共源共柵電流鏡控制電路中的每段鏡像支路分別包括用于調節所述鏡像支路電流的第一晶體管；

每段所述被控支路位于所述鏡像支路內的電路分別包括第二晶體管，每組所述MOS管組中的所述PMOS管和所述NMOS管分別與兩個所述第二晶體管一一對應連接；

所述MOS管電阻電路用于通過調節所述第一晶體管尺寸參數，改變所述第一晶體管所在鏡像支路電流大小，使所述被控支路電流大小改變，通過改變與所述被控支路上第二晶體管連接的MOS管組的直流工作電流，調節MOS管形成的電阻的工作狀態，調節MOS電阻的實際小信號電阻大小。

2.如權利要求1所述的用于信號放大的MOS管電阻電路，其特征在于，所述PMOS管的柵極與其中一所述鏡像支路的所述第二晶體管的柵極和漏極連接，所述PMOS管的漏極與所述第二晶體管的源極連接；所述NMOS管的柵極與另一所述鏡像支路的所述第二晶體管的柵極和漏極連接，所述NMOS管的漏極與所述第二晶體管的源極連接。

3.如權利要求1所述的用于信號放大的MOS管電阻電路，其特征在于，所述晶體管為MOS管。

4.一種用于信號放大的MOS管電阻偏置電路，其特征在于，包括：共源共柵電流鏡控制電路、電流信號產生電路以及信號放大電路，所述信號放大電路包括與所述共源共柵電流鏡控制電路連接的MOS管組，所述共源共柵電流鏡控制電路包括多個晶體管；所述電流信號產生電路與所述共源共柵電流鏡控制電路以及所述信號放大電路電性連接；所述MOS管組包括P溝道的PMOS管和N溝道的NMOS管，所述PMOS管和所述NMOS管的源極相連，所述PMOS管的柵極和漏極與所述共源共柵電流鏡控制電路中的一段鏡像支路連接，所述NMOS管的柵極和漏極與所述共源共柵電流鏡控制電路中的另一段鏡像支路連接；

所述共源共柵電流鏡控制電路包括兩段被控支路，所述MOS管組的數量為兩組，兩組所述MOS管組與兩段所述被控支路一一對應連接；

所述共源共柵電流鏡控制電路中的每段鏡像支路分別包括用于調節所述鏡像支路電流的第一晶體管；

每段所述被控支路位于所述鏡像支路內的電路分別包括第二晶體管，每組所述MOS管組中的所述PMOS管和所述NMOS管分別與兩個所述第二晶體管一一對應連接；

所述MOS管電阻偏置電路用于通過調節所述第一晶體管尺寸參數，改變所述第一晶體管所在鏡像支路電流大小，使所述被控支路電流大小改變，通過改變與所述被控支路上第二晶體管連接的MOS管組的直流工作電流，調節MOS管形成的電阻的工作狀態，調節MOS電阻的實際小信號電阻大小。

5.如權利要求4所述的用于信號放大的MOS管電阻偏置電路，其特征在于，所述信號放大電路包括第一運算放大器；所述第一運算放大器的輸入端與所述NMOS管的漏極連接，所述第一運算放大器的輸出端與所述PMOS管的漏極連接。

6.如權利要求5所述的用于信號放大的MOS管電阻偏置電路，其特征在于，兩組所述MOS管組分別為第一MOS管組和第二MOS管組；在所述第一MOS管組中，所述NMOS管的漏極與所述第一運算放大器的輸入端正引腳連接，所述PMOS管的漏極與所述第一運算放大器的輸出端負引腳連接；在所述第二MOS管組中，所述NMOS管的漏極與所述第一運算放大器的輸入端負引腳連接，所述PMOS管的漏極與所述第一運算放大器的輸出端正引腳連接。