[發明專利]一種鈣鈦礦納米晶薄膜及其成膜方法和應用

有效

• 申請號: 202110577125.0
• 申請日: 2021-05-26
• 公開（公告）號: CN113314691B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 陳淑芬;張文竹;沈煒;喻葉
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/00;H01L51/50
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 盧霞

1.一種鈣鈦礦納米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述成膜方法具體為：將鈣鈦礦納米晶溶液通過多步交替涂制在基片上，所述多步交替涂制是指滴涂和旋涂交替進行，每次滴涂或旋涂后需進行干燥，再進行下一步涂制。

2.權利要求1所述的一種鈣鈦礦納米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述多步交替涂制按照先滴涂后旋涂的順序交替進行，交替次數為3-10次。

3.權利要求1所述的一種鈣鈦礦納米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述滴涂和旋涂每次使用的鈣鈦礦納米晶溶液量為50-200μL。

4.權利要求1所述的一種鈣鈦礦納米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述滴涂干燥溫度為15-60℃，時間為5-45分鐘。

5.權利要求1所述的一種鈣鈦礦納米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述旋涂轉速1000-6000rpm，加速度300-1000r/s，旋涂時間為15-90秒。

6.權利要求1所述的一種鈣鈦礦納米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述鈣鈦礦納米晶溶液的溶劑為甲苯、辛烷、正己烷、環己烷、二氯甲苯、三氯甲苯、四氯化碳、正丁醇、乙酸乙酯中的任意一種或者任意幾種溶劑的混合。

7.權利要求1所述的一種鈣鈦礦納米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述鈣鈦礦納米晶溶液中的鈣鈦礦納米晶材料為鈣鈦礦鹵化物及其衍生物。

8.權利要求7所述的一種鈣鈦礦納米晶薄膜的成膜方法，其特征在于，所述鈣鈦礦鹵化物及其衍生物結構通式包括ABX₃、AB₂X₅、A₄BX₆、A₂BX₄、A₃BX₅，其中，A＝Cs⁺、Rb⁺、甲胺離子、甲脒離子的任意一種或者任意幾種的混合；B＝Pb²⁺、Sn²⁺、Ge²⁺的任意一種或者任意幾種的混合；X＝Cl、Br、I的任意一種或者任意幾種的混合。

9.一種鈣鈦礦納米晶薄膜，其特征在于，所述鈣鈦礦納米晶薄膜為采用權利要求1-8中任意一項權利要求所述的成膜方法制備的薄膜。

10.權利要求9所述的一種鈣鈦礦納米晶薄膜在LED器件的發光層中的應用。