[發(fā)明專利]一種多能量耦合等離子體化學(xué)氣相沉積法制備金剛石的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110574739.3 | 申請日: | 2021-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN113025990B | 公開(公告)日: | 2021-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王濤;魏遠(yuǎn)征;張雪梅;王簫;徐念;胡常青;趙建海 | 申請(專利權(quán))人: | 上海鉑世光半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/27 | 分類號: | C23C16/27;C23C16/517;C23C16/52 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 汪青;周敏 |
| 地址: | 200000 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多能 耦合 等離子體 化學(xué) 沉積 法制 金剛石 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種多能量耦合等離子體化學(xué)氣相沉積法制備金剛石的方法,所述等離子體化學(xué)氣相沉積法采用熱絲、脈沖偏壓電源和旋轉(zhuǎn)磁場耦合作為復(fù)合能量源,熱絲用于激發(fā)含碳?xì)怏w產(chǎn)生初級等離子體,脈沖偏壓用于對熱絲產(chǎn)生的初級等離子體施加電場,使初級等離子體在電場的耦合作用下拉伸并形成覆蓋區(qū)域更廣的二級等離子體,旋轉(zhuǎn)磁場作用于金剛石沉積基片的表面區(qū)域,將所述二級等離子體中的粒子能量進(jìn)一步均化耦合,并提高等離子體中能夠形成SP3的碳結(jié)構(gòu)的粒子比例。本發(fā)明方法不僅能夠穩(wěn)定獲得高質(zhì)量的金剛石,而且對于沉積條件及工藝參數(shù)的控制要求相對較低,方法易于控制,調(diào)控寬容度高、適用面廣,特別適于金剛石的工業(yè)化生產(chǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于超硬材料的制備領(lǐng)域,具體涉及一種多能量耦合等離子體化學(xué)氣相沉積法制備金剛石的方法。
背景技術(shù)
金剛石有很多制備方法,如熱絲等離子、微波等離子、電弧等離子化學(xué)品氣相沉積等。隨著工業(yè)化的進(jìn)行,人們發(fā)現(xiàn)使用中有部分問題,如熱絲法成本便宜,但金剛石的質(zhì)量不高,微波法質(zhì)量高,但設(shè)備復(fù)雜,放大生產(chǎn),降低成本較難;電弧炬法可以生產(chǎn)高質(zhì)量單晶光學(xué)級金剛石,但是金剛石內(nèi)應(yīng)力較大,成本較高,成品率不足80%。
為了利用熱絲成本低的優(yōu)勢,發(fā)明人在CN112030133A中提出了利用磁共振、熱絲、直流耦合或者利用磁共振、熱絲、高頻耦合來制備高質(zhì)量的金剛石,其雖然能夠提高金剛石的沉積速度,但是,由于其利用磁共振,因此對反應(yīng)氣體的組分及比例,沉積氣壓(即真空度)、沉積溫度等工藝參數(shù)的要求較為苛刻,若條件控制不佳,則無法實現(xiàn)共振,從而將導(dǎo)致能量無法耦合,那么沉積速度、金剛石的質(zhì)量等將大幅下降。因此,該專利雖然在各項參數(shù)嚴(yán)格控制的情況下,具有好的效果,但由于參數(shù)控制嚴(yán)苛,容易出現(xiàn)參數(shù)波動導(dǎo)致能量無法耦合的情況,從而整體上存在失敗率高,不適合工業(yè)化生產(chǎn)的問題。另外,該專利方法制備的金剛石在厚度上的均一性仍有待提高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種改進(jìn)的金剛石的制備方法。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種多能量耦合等離子體化學(xué)氣相沉積法制備金剛石的方法,所述等離子體化學(xué)氣相沉積法采用熱絲、脈沖偏壓電源和旋轉(zhuǎn)磁場耦合作為復(fù)合能量源,并且其中所述熱絲用于激發(fā)含碳?xì)怏w產(chǎn)生初級等離子體,所述脈沖偏壓用于對熱絲產(chǎn)生的初級等離子體施加電場,使初級等離子體在電場的耦合作用下拉伸并形成覆蓋區(qū)域更廣的二級等離子體,所述的旋轉(zhuǎn)磁場作用于金剛石沉積基片的表面區(qū)域,將所述二級等離子體中的粒子能量進(jìn)一步均化耦合,并提高等離子體中能夠形成SP3的碳結(jié)構(gòu)的粒子比例。
優(yōu)選地,通過調(diào)節(jié)所述旋轉(zhuǎn)磁場的磁場強(qiáng)度、旋轉(zhuǎn)角速度使經(jīng)旋轉(zhuǎn)磁場耦合后的等離子體中的能夠形成SP3的碳結(jié)構(gòu)的粒子比例相比二級等離子體提高1倍至10000倍,從而能夠很好的提高生產(chǎn)效率,提高能源利用率;進(jìn)一步優(yōu)選為2倍至5000倍;更進(jìn)一步為3倍至3000倍。
優(yōu)選地,進(jìn)行金剛石沉積時,所述熱絲電源功率設(shè)置為0.05~18kW;所述脈沖偏壓電源的占空比設(shè)置為10~90%,頻率設(shè)置為1~200kHz,偏壓設(shè)置為1~1000V,功率設(shè)置為0.05~10kW;所述旋轉(zhuǎn)磁場的磁場強(qiáng)度設(shè)置為1.3×104~5.6×107A/m,旋轉(zhuǎn)角速度設(shè)置為0.1~720度/s。
根據(jù)一些優(yōu)選實施方式,進(jìn)行金剛石沉積時,所述熱絲電源功率設(shè)置為0.05~10kW,所述脈沖偏壓電源的功率設(shè)置為0.05~5kW,所述旋轉(zhuǎn)磁場的磁場強(qiáng)度設(shè)置為1.3×104~5.6×107A/m。
進(jìn)一步地,所述脈沖偏壓電源的偏壓設(shè)置為500~1000V。
進(jìn)一步地,所述脈沖偏壓電源的占空比設(shè)置為50~90%,頻率設(shè)置為100~200kHz;所述磁場的旋轉(zhuǎn)角速度設(shè)置為0.1~360度/s。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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