[發明專利]一種陣列基板及顯示面板有效
| 申請號: | 202110570947.6 | 申請日: | 2021-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN113257879B | 公開(公告)日: | 2022-07-15 |
| 發明(設計)人: | 朱家柱 | 申請(專利權)人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京允天律師事務所 11697 | 代理人: | 魏金霞 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
襯底基板;
位于所述襯底基板上的平坦化層,所述平坦化層包括沿第一方向延伸設置的鏤空區;
位于所述襯底基板與所述平坦化層之間的層間絕緣層,所述層間絕緣層中設置有多條扇出走線,及位于所述多條扇出走線與所述平坦化層之間的設置的至少一條信號線;
其中,所述信號線在所述第一方向上的至少一側邊,與所述鏤空區在第二方向上的至少一條邊緣線具有邊緣交疊區域;在所述襯底基板的正投影上,所述扇出走線延伸貫穿所述鏤空區,且所述扇出走線與至少一個所述邊緣交疊區域無交疊,所述第一方向和所述第二方向相交。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括顯示區域和邊框區域,所述鏤空區位于所述邊框區域,且所述第一方向與所述鏤空區靠近所述顯示區域的邊緣線的延伸方向相同;
所述信號線在所述第一方向上的至少一側邊,與所述鏤空區背離所述顯示區域的邊緣線具有的所述邊緣交疊區域為底部邊緣交疊區域;在所述襯底基板的正投影上,所述扇出走線與所述底部邊緣交疊區域無交疊。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,陣列基板還包括:多條浮置的虛設扇出走線,在所述襯底基板的正投影上,所述虛設扇出走線延伸貫穿所述鏤空區,且虛設扇出走線與所述邊緣交疊區域交疊。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述虛設扇出走線與所述扇出走線延伸方向相平行。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,陣列基板還包括:多條浮置的虛設扇出走線線段,在所述襯底基板的正投影上,所述虛設扇出走線線段與所述邊緣交疊區域交疊。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,在所述第二方向上,所述多條扇出走線包括相鄰的第一部分扇出走線和第二部分扇出走線,所述第一部分扇出走線和所述第二部分扇出走線均包括至少一條所述扇出走線;所述第一部分扇出走線和所述第二部分扇出走線之間包括至少一條所述虛設扇出走線線段,定義為中間虛設扇出走線線段;
在所述第一部分扇出走線和/或所述第二部分扇出走線中,所述扇出走線包括至少一段連接線段;其中,在垂直所述中間虛設扇出走線線段的延伸方向的平面上,至少一條所述中間虛設扇出走線線段的正投影,與靠近所述中間虛設扇出走線線段的所述連接線段的正投影有交疊。
7.根據權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,在所述第一部分扇出走線和/或所述第二部分扇出走線中,所述扇出走線包括第一扇出走線線段、一段所述連接線段和第二扇出走線線段,所述第一扇出走線線段和所述第二扇出走線線段通過所述連接線段相連;所述第一扇出走線線段、所述第二扇出走線線段和所述中間虛設扇出走線線段的延伸方向均相平行。
8.根據權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,在所述第一部分扇出走線和/或所述第二部分扇出走線中,所述扇出走線包括第三扇出走線線段、第四扇出走線線段和第五扇出走線線段,及定義為第一連接線段和第二連接線段的兩段所述連接線段,所述第三扇出走線線段和所述第四扇出走線線段通過所述第一連接線段相連,所述第四扇出走線線段和所述第五扇出走線線段通過所述第二連接線段相連,所述第三扇出走線線段和所述第五扇出走線線段均位于所述第四扇出走線線段朝向所述中間虛設扇出走線線段的一側;所述第三扇出走線線段、所述第四扇出走線線段、所述第五扇出走線線段和所述中間虛設扇出走線線段的延伸方向均相平行。
9.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述至少一條信號線包括第一信號線和第二信號線,在所述襯底基板的正投影上,所述第一信號線和所述第二信號線貫穿所述鏤空區。
10.根據權利要求9所述的陣列基板,其特征在于,所述第一信號線為PVDD信號線,所述第二信號線為PVEE信號線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
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H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





