[發明專利]晶圓級芯片封裝結構及其制作方法和電子設備

在審

• 申請號: 202110568593.1
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN113035831A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 吳春悅;何正鴻
• 申請（專利權）人: 甬矽電子（寧波）股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/49;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 嚴誠

1.一種晶圓級芯片封裝結構，其特征在于，包括：

芯片，所述芯片具有相對的第一面和第二面，所述第一面設置有鋁墊；

包裹所述芯片的第一面和側面的塑封體，所述塑封體露出所述芯片的鋁墊；

第一重新布線層，所述第一重新布線層位于所述芯片的第一面所朝的一側，所述第一重新布線層與所述芯片的鋁墊電連接；

覆蓋所述芯片的第二面和所述塑封體的第二重新布線層，所述第二重新布線層與所述第一重新布線層通過貫穿所述塑封體的導電柱電連接；

埋設于所述塑封體中的緩沖件，所述緩沖件的一端延伸至所述第二重新布線層，另一端延伸至所述塑封體上對應所述第二面的表面，所述緩沖件相較于所述塑封體具有更高的柔性；

與所述第二重新布線層電連接的金屬凸塊。

2.根據權利要求1所述的晶圓級芯片封裝結構，其特征在于，所述晶圓級芯片封裝結構包括多個繞所述芯片周向間隔設置的緩沖件。

3.根據權利要求1所述的晶圓級芯片封裝結構，其特征在于，所述緩沖件為圓柱狀。

4.根據權利要求1所述的晶圓級芯片封裝結構，其特征在于，所述緩沖件的材質為聚乙烯、聚丙烯、環氧樹脂或者酚醛樹脂。

5.根據權利要求1所述的晶圓級芯片封裝結構，其特征在于，所述第一重新布線層包括第一介電層以及埋設于所述第一介電層內的第一線路，所述第二重新布線層包括第二介電層以及埋設于所述第二介電層內的第二線路，所述金屬凸塊通過所述第二介電層上的開口與所述第二線路電連接。

6.根據權利要求5所述的晶圓級芯片封裝結構，其特征在于，所述第一線路具有焊盤，所述第一介電層上設置有開口以暴露所述焊盤。

7.根據權利要求1-4中任一項所述的晶圓級芯片封裝結構，其特征在于，所述第一重新布線層外側設置有散熱層。

8.根據權利要求7所述的晶圓級芯片封裝結構，其特征在于，所述散熱層包括金屬、陶瓷、導熱膠中的至少一種。

9.一種晶圓級芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，包括：

獲取芯片，所述芯片具有相對的第一面和第二面，所述第一面設置有鋁墊，將所述芯片的第二面貼附在載具上；

制作塑封體包裹所述芯片的第一面和側面，并露出所述芯片的鋁墊；

制作與所述鋁墊電連接的第一重新布線層；

去除所述載具；

在所述塑封體上開設第一連接孔，所述第一連接孔從所述塑封體與所述芯片的第二面相鄰的一側延伸至所述第一重新布線層，在所述第一連接孔內填充導電材料以形成連接所述第一重新布線層的導電柱；

在所述塑封體上開設第二連接孔，所述第二連接孔從所述塑封體與所述芯片的第二面相鄰的一側延伸至所述塑封體上對應所述第二面的表面，在所述第二連接孔內設置緩沖件，所述緩沖件相較于所述塑封體具有更高的柔性；

制作覆蓋所述芯片的第二面和所述塑封體的第二重新布線層，所述第二重新布線層與所述導電柱電連接并與所述緩沖件抵接；

制作與所述第二重新布線層電連接的金屬凸塊。

10.根據權利要求9所述的晶圓級芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，在所述制作與所述鋁墊電連接的第一重新布線層的步驟之前，所述制作方法還包括：在所述塑封體上制作鈍化層，所述鈍化層具有開口，以暴露所述鋁墊；

所述制作與所述鋁墊電連接的第一重新布線層的步驟，包括：

在所述鈍化層上鋪設第一層介電材料，并在所述第一層介電材料上開槽形成線路圖形；

按照所述線路圖形制作第一線路，所述第一線路通過所述鈍化層的開口與所述鋁墊連接；

在所述第一層介電材料和所述第一線路上鋪設第二層介電材料，以形成所述第一重新布線層。